電子元器件半導體連接器電子無鉛鍍錫添加劑
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產品詳情
“電子元器件半導體連接器電子無鉛鍍錫添加劑”參數說明
| 是否有現貨： | 否 | 類型： | 電鍍助劑 |
| 形態： | 液態 | 型號： | Sn20 |
| 規格： | 25kg | 商標： | 安美斯 |
| 包裝： | 塑料桶 | 類別： | 電子鍍錫添加劑 |
| 產量： | 1000 |
“電子元器件半導體連接器電子無鉛鍍錫添加劑”詳細介紹
產品名稱：無鉛鍍錫添加劑
Sn-P20
(應用於電子構裝工藝流程)
簡述
Sn-P20 爲一低泡沫性的有機酸電鍍工藝，能在高速和低速下電鍍出沉積均勻、多邊形大晶粒純錫鍍層。
Sn-P20 特別設計用於高速片狀式或卷帶式電鍍設備，該工藝非常適用
於半導體引線框架和連接器。此工藝可以通過改變操作參數用於低速電鍍。
優點與特徵
1. 環保,無鉛鍍層
2. 低應力
3. 大尺寸多邊形結晶(直徑4-5微米)
4. 優越的焊錫性能
5. 低泡沫性電鍍液
6. 均勻緞狀啞光外觀
錫鍍層的參考資料
結構與外觀 : 大結晶,緞狀-啞光
合金比例 : 錫
熔點 ： 232oC (450oF)
1公升工作槽液之配製
高 速
藥品 5-30 安培/平方分米
去離子水 570 毫升
Sn-P20 錫濃縮液(300克/公升) 217 毫升
Sn-P20 HC 酸液 80 毫升
Sn-P20 PRI添加劑 100 毫升
Sn-P20 添加劑 5 毫升
Sn-P20 AT-52抗氧化劑 10 毫升
添加去離子水至 容積
中 速
藥品 5-15 安培/平方分米
去離子水 600 毫升
Sn-P20 錫濃縮液(300克/公升) 133 毫升
Sn-P20 HC 酸液 130 毫升
Sn-P20 PRI添加劑 100 毫升
Sn-P20 添加劑 10 毫升
Sn-P20 AT-52 抗氧化劑 10 毫升
添加去離子水至 容積
低 速
藥品 0.5-5 安培/平方分米
去離子水 580 毫升
Sn-P20 錫濃縮液(300克/公升) 83 毫升
Sn-P20 HC 酸液 235 毫升
Sn-P20 PRI添加劑 75 毫升
Sn-P20 添加劑 4 毫升
Sn-P20 AT-52 抗氧化劑 10 毫升
添加去離子水至 容積
槽液配置的步驟
1. 添加去離子水於鍍槽中。
2. 加入Sn-P20 HC 酸液，攪拌均勻。
3. 加入Sn-P20 錫濃縮液(300克/公升)，攪拌均勻。
4. 加入Sn-P20 PRI添加劑，攪拌均勻。
5. 加入Sn-P20 添加劑，攪拌均勻。
6. 加入 Sn-P20 AT-52 抗氧化劑，攪拌均勻。
7. 添加去離子水至控制液位。
注意： Sn-P20 錫濃縮液(濃原液)中含有Sn-P20 HC 酸液，故它們亦對鍍液中的Sn-P20 HC 酸濃度構成影響。
前處理
在槽液配置前，建議用70-140毫升/公升之Sn-P20 HC 酸液工序作爲活化步驟。
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