EVG 850LT SOI和直接晶圓鍵合基本介紹

 

EVG 850LT SOI和直接晶圓鍵合性能特點

EVG®850 LT

Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

EVG 850LT   SOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統

 

自動化生產鍵合系統，適用於多種融合/分子晶圓鍵合應用

 

晶圓鍵合是SOI晶圓製造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。藉助用於機械對準SOI的EVG850 LT自動化生產鍵合系統和具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，融合了熔合的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300 mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。

 

特徵

利用EVG的LowTemp?等離子激活技術進行SOI和直接晶圓鍵合

適用於各種融合/分子晶圓鍵合應用       ；生產系統可在高通量，高產量環境中運行

盒到盒的自動操作（錯誤載入，SMIF或FOUP）；         無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔；                    ；   機械平整或缺口對齊的預粘合

先進的遠程診斷技術資料

晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預粘接室

對齊類型：平面到平面或凹口到凹口

對準精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

結合力： 5 N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統：9x10-2 mbar（標準）和9x10-3 mbar（渦輪泵選件）

LowTemp?等離子激活模組

2種標準工藝氣體：N2和O2，以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和合成氣（N2，Ar和H4含量 ）

通用質量流量控制器： 可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速 可達到20.000 sccm

真空系統：9x10-2 mbar（標準）和9x10-3 mbar（渦輪泵選件），高頻RF發生器和匹

 

配單元：清潔站；清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積感測器，噴嘴，刷子（可選）；    腔室：由PP或PFA製成

清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（ ）。 2％濃度（可選）

旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料製成；

旋轉： 3000 rpm（5 s）

清潔臂： 5條介質線（1個超音速系統使用2條線）

可選功能： 3迷你環境（根據 14644）；  LowTemp?等離子活化室

紅外檢查站