SiC和GaN退火及石墨烯生長爐
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產品詳情
“SiC和GaN退火及石墨烯生長爐”參數說明
| 別名： | 退火爐 | 是否有現貨： | 否 |
| 認證： | 品牌： | centrotherm | |
| 用途： | 如研發爐和批量生產爐， 且處理靈活性高 | 自動化程度： | 半自動 |
| 是否加工定製： | 是 | 電流： | 交流 |
| 型號： | centrotherm | 規格： | centrotherm |
| 商標： | centrotherm | 包裝： | 木箱 |
“SiC和GaN退火及石墨烯生長爐”詳細介紹
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生長 Activator150
centrotherm Activator 150 高溫爐生產線專爲矽-碳化合物（SiC）或鎵-氮化合物（GaN） 設備的後植入燒結而設計開發。Activator 150 可用於多種類型爐體， 如研發爐和批量生產爐， 且處理靈活性高。centrotherm 的無金屬加熱裝置的獨特設計允許處理溫度高達 1850 °C 同時縮短了工藝迴圈時間。由於佔據空間小、購置成本低，所以 Activator 150 可實現生產具有成本效益。
特點：
高活化率
表面粗糙程度
溫度 達 1850°C
批量規模高達 50矽片（150mm）
加熱率 達 150 K/min
通過SiH4可實現矽“過壓
Centrotherm 小批暈生產用垂直爐管CLV200,科研專屬
CLV200 小批暈生產用垂直爐管
I 適用於砫襯底的半導體積體電路的生產
centrotherm C LV 200 是一個獨立的小批量晶圓 生產設備，能實現各項熱處理工藝，適用於少量生產及 研發。
cent rot herm 工藝反應 腔體及加熱系統有着獨特的設計， 高升溫至 11 00 攝氏度。由於一爐尺寸較小（一批至多 50 片晶圓）， CLV 200 爐管能提供 非常靈活的常壓及低壓工藝，降低顧客研發費用。
cent rot herm 的設計在 ， 低耗上非常出色， 同時也具備了生產各種半導體器件的工藝靈活性。
常壓工藝退火
氧化
擴散LPCVD PECVD
Zui高溫度可達 11 00° C
淨化間佔用面積小 [1.6 m叮
售 批量生產 100 mm 至200 mm 晶圓售 一批 可處理 50 片晶圓
售 全自動 cassette -to-cassette 傳片
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