供應高純貴金屬黃金及金基合金濺射靶材Glod(Au)Targets科研及工業必備材料
產品名稱：  金及金基合金濺射靶材
牌號規格：  Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4
用途備註：  金、金鍺、金鍺鎳等濺射靶材通過磁控濺射工藝沉積在半導體晶片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成歐姆接觸膜、電極和連線膜。可形成多種金屬化膜系統。

產 品 詳 情
高純金及合金是製造半導體晶片的關鍵基礎材料。使用金靶材將金膜沉積在半導體晶片表面，形成歐姆接觸膜、電極和連線膜，可形成多種金屬化膜系統。該金屬氧化膜系統可大量應用於製造發光二極管（LED），    
軍用和民用微波通信器件，航太、航空等重要領域用半導體化合物以及晶片太陽能電池等領域。

化學成分
序號  合 號  主成分
   Au  Ge  Ni  Ga  Be
1  Au1  ≥99.99        
2  Au01  ≥99.999  ——  ——  ——  ——
3  Au88Ge  88±0.5  餘量  ——  ——  ——
4  Au83.5GeNi  83.5±0.5  餘量  5±0.4    
備註：可按客戶要求提供其他成分的產品。
外形尺寸(mm)
合 號  形狀  規格  允許偏差  厚度  允許偏差
Au1、Au01  圓形  100-250  ±0.1  3～6  ±0.2
 方形  127×381  ±1  3～6  ±0.2
AuGe12、Au83.5GeNi、  圓形  100-250  ±0.3  6  ±0.5
 方形  127×381  ±1  6  ±0.5
備註：可供其他規格和允許偏差的產品。