產品介紹

高壓靜電處理器，又稱離子棒水處理器，是採用高壓直流電產生的靜電場處理迴圈冷卻水，具有除垢防垢 滅藻 緩蝕防腐功能的純物理法水處理裝置。主要是由聚四氟乙烯與特種合金聚合的電極棒體和能產生高壓電的電控器兩部分組成。

將電極棒體陣列式佈置在冷卻水中，電控箱輸出25000v—28000v的直流電，使棒體周圍產生強大的高壓靜電場，冷卻水循環往復地通過靜電場得到連續處理。

工作原理

高壓靜電水處理器，通過電控器將交流電轉化爲高壓直流電，再通過信號線（高壓）輸送到離子棒端，離子棒電極在冷卻水中釋放出高壓靜電場，產生除垢防垢 滅藻 緩蝕降濁度作用。

 

阻垢除垢機理

在整個迴圈水系統運行過程中，由於冷卻水不斷飛濺、蒸發的原因，水中電解質濃度不斷增加，當超過其溶解度時，就結晶出來而產生水垢，水溫升高會導致溶解度下降，因此常沉積在換熱器的表面，降低傳熱效率。

高壓靜電迴圈水處理器能有效阻止硬垢生成。由於水體電位的提高，組成水分子原子的原子核正極性加強。雖然水中的溶解離子也同時得到了加強，但由於水體佔的質量優勢，故靜電場的能量絕大部分被水體接收，大量的水分子由於位能的提高，有力地阻止了水中溶解離子及自由電子的各種運動。這意味着，它們與其他物質生成各種化合物（包含水垢）的可能性降低。另一方面，按照水分子具有極性的特性，自然狀態下的水分子是無序排列的，但在高壓靜電場中，水分子則會發生有規則的排列。可將水體中的陰離子、陽離子包圍起來，阻止其化學反應的發生，並且在水分子和設備間形成電位差，束縛離子向設備聚集的能力，起到阻止結垢的作用，有效防止硬垢生成。

高壓靜電迴圈水處理器還能有效去除系統中的硬垢。在高壓靜電場中水垢分子間的電子結合力能得到破壞，改變了其晶體結構，促使其疏鬆，並加大水分子的偶極距，增強與鹽類分子的水合能力，使水垢逐漸剝蝕、脫落。

滅藻機理

冷卻水塔、熱交換器或系統其他部分的菌藻產生的沉積物會影響換熱器的換熱效率，若脫落就會堵塞冷卻塔上的分水孔和水管。

高壓靜電迴圈水處理器的靜電場破壞了細胞膜的離子通道，改變了細胞適應的內控電流和生存所需的環境條件，使其喪失生存能力而。同時激活後的水分子能將水中溶解氧包圍，切斷了微生物進行生命活動所需氧的來源，從而達到了較好的滅藻效果，同時也防止了生物污泥的產生。另一方面，高壓靜電在迴圈水中能產生臭氧，其能力比氯離子強600～3000倍，能夠有效殺滅水體中的細菌和藻類，並且阻止軟垢的生成。

防腐降蝕機理

腐蝕是冷卻水系統中嚴重的問題。水的蒸發導致電解質濃度增加，冷卻塔的曝氣吸入了CO2、H2S等腐蝕性氣體增加了水的腐蝕性，垢下腐蝕常會洞穿管壁而造成系統停車，微生物亦會造成和加速腐蝕。

高壓靜電迴圈水處理器有效阻止迴圈水對系統的腐蝕。當“高壓靜電迴圈水處理器”輸入220V電壓運行時，能產生25KV-28KV高壓靜電，作用於流經靜電場的全部迴圈水，從而提高了總體水體電位。水體電位的提高，實際上改變了水的物理性能：一方面整個水體成爲了一個可隨容器形狀而改變的“犧牲陽極”，從而使處於“陰極”的金屬設備得到了保護；另一方面阻礙了碳鋼表面電極微電流的流動，這意味着其正極與氧離子結合能力的降低，鏽蝕的可能性變小；再一方面水體電位的提高，利用電位差原理在管壁上形成一層緻密的氧化膜，有效阻止迴圈水對設備的腐蝕。靜電場干擾冷卻水中膠體布朗運動,形成絮凝使膠體穩定聚集,降低水質濁度。

應用條件

1. 環境條件：海拔高度小於3000米烈度不大於6度 .

2. 水溫水壓：水溫不大於95℃,水壓不大於1.6Mpa.

3. 迴圈水質：a)總硬度(以CaC0?計算)10mm0l/L;b)細菌數:<5x10?個/ml;c)其他指標應符合GB/T50050規定。

4.補水水質：高硬、高鹼、高濁、高電導率水，需要有效的預處理措施；如無預處理措施, 則需要降硬、降鹼措施配套使用；再生水作爲補充水，其指標需符合《工業迴圈冷卻水處理設計規範》(GB/T50050)標準。

5. 系統條件：系統設計符合《GB/502102工業迴圈水冷卻設計規範》和對應行業的迴圈冷卻水系統設計規範。其中,每小時的迴圈水量值不得大於保有水量。

6. 配套設備：濃縮倍數大於5的系統，或有嚴重季節性風沙氣候情況、環境中揚塵較嚴重的情況，需設置旁流系統；敏感性換熱設備,應優化在線清潔裝置。

7.輔助措施：舊系統應用時需清理水池底部污泥；水垢或腐蝕較嚴重的舊系統應用時,需事先做有效地除垢及清洗預膜處理；投用本高壓靜電水處理器設備前，系統的管道、換熱器及其他設備, 均須進行安裝可靠的靜電接地，確保系統靜電爲零；水處理過程中,物料泄漏如促進菌藻滋生須聯合加藥處理。

按需定製。