MMBT5551LT1G ON直供
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產品詳情
“MMBT5551LT1G ON直供”參數說明
| 結構形式： | NPN | 結構工藝： | 合金管 |
| 安裝方式： | 貼片 | 材料： | 鍺管 |
| 封裝形式： | 金屬封裝 | 工作狀態： | 截止 |
| 型號： | MMBT5551LT1G | 商標： | ON |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） | 類別： | 分立半導體產品, 電晶體 - 雙極 (BJT) - 單 |
| 電晶體類型： | NPN | 電流 - 集電極截止： | 100nA |
| 電壓 - 集射極擊穿： | 160V | 電流 - 集電極（Ic）： | 600mA |
| 功率 - 最大值： | 225mW |
“MMBT5551LT1G ON直供”詳細介紹
MMBT5551LT1G 商品詳情
庫存：341907
起訂量：20
包裝量：1
商品型號：MMBT5551LT1G
製造商：ON
類別：分立半導體產品, 電晶體 - 雙極 (BJT) - 單
功率 - 最大值：225mW
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
零件狀態：在售
電晶體類型：NPN
電流 - 集電極（Ic）（最大值）：600mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：160V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V
即送288元優惠券（可抵現）
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