高性能32位單片機, 普冉PY32F030系列MCU
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產品詳情
“高性能32位單片機, 普冉PY32F030系列MCU”參數說明
| 是否有現貨： | 是 | 封裝： | Lqfp32,qfn32,tssop20 |
| 功能結構： | 數位積體電路 | 製作工藝： | 半導體積體電路 |
| 導電類型： | 其他 | 集成度高低： | 大型積體電路 |
| 應用領域： | 標準通用 | 型號： | Py32f030 |
| 規格： | 32位MCU | 工作電壓： | 1.7V~5.5V |
| 工作溫度： | -40~85℃ |
“高性能32位單片機, 普冉PY32F030系列MCU”詳細介紹
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基本介紹
(產品的基本描述，如定義、功能等)
PY32F030 系列微控制器採用高性能的 32 位 ARM？ Cortex？-M0+內核，寬電壓工作範圍的 MCU。嵌入高達
64Kbytes flash 和 8Kbytes SRAM 記憶體， 工作頻率 48MHz。包含多種不同封裝類型多款產品。晶片集成多
路 I2C、SPI、USART 等通訊外設，1 路 12bit ADC，5 個 16bit 定時器，以及 2 路比較器。
PY32F030 系列微控制器的工作溫度範圍爲-40℃
~
85℃，工作電壓範圍 1.7V
~
5.5V。晶片提供 sleep 和 stop
低功耗工作模式，可以滿足不同的低功耗應用。
PY32F030 系列微控制器適用於多種應用場景，例如控制器、手持設備、PC 外設、遊戲和 GPS 平臺、工業應
用等。
性能特點
(除基本功能外的其他特質，例如工作時長、操作簡便性等)
？ Cortex？-M0+
內核
Arm？
Cortex
？
- M0+是一款爲廣泛的嵌入式應用設計的入門級 32 位 Arm Cortex 處理器。它爲開發人員提
供了顯著的好處，包括：
結構簡單，易於學習和編程；
功耗，節能運行；
精簡的代碼密度等。
結構簡單，易於學習和編程；
功耗，節能運行；
精簡的代碼密度等。
Cortex-M0+處理器是 32 位內核，面積和功耗優化高，爲 2 級流水的馮諾伊曼架構。處理器通過精簡但強大
的指令集和廣泛優化的設計，提供 處理硬體，包含單週期乘法器，提供了 32 位架構計算機所期望的 性
能，比其他 8 位和 16 位微控制器具有 的代碼密度。
Cortex-M0+與一個嵌套的向量中斷控制器(NVIC)緊密耦合。
2.
記憶體
片內集成 SRAM。通過 bytes（8bits）、half-word（16bits）或者 word（32bits）的方式可訪問 SRAM。
片內集成 Flash，包含兩個不同的物理區域組成：
Main flash 區域，它包含應用程式和用戶數據
Information 區域，4KBytes，它包括以下部分：
？
Option bytes
？
UID bytes
？
System memory
對 Flash main memory 的保護包括以下幾種機制 機製：
read protection(RDP)，防止來自外部的訪問。
wrtie protection（WRP）控制，以防止不想要的寫操作（由於程式記憶體指針 PC 的混亂）。防寫
的 保護單位爲 4Kbytes。
Option byte 防寫，專門的解鎖設計。
模式
通過 BOOT0 pin 和 boot 配置位 nBOOT1（存放於 Option bytes 中），可選擇三種不同的啓動模式。
技術參數
(例如材質、工藝、尺寸的技術標準等)
內核
— 32 位 ARM？ Cortex？ - M0+
— 48MHz 工作頻率
記憶體
— 64Kbytes flash 記憶體
— 8Kbytes SRAM
時鐘系統
— 內部 4/8/16/22.12/24MHz RC 振盪器(HSI)
— 內部 32.768KHz RC 振盪器(LSI)
— 4
~
32MHz 晶體振盪器(HSE)
— 32.768KHz 低速晶體振盪器(LSE)
— PLL（支持對 HSI 或者 HSE 的 2 倍頻）
電源管理和復位
— 工作電壓：1.7V
~
5.5V
— 低功耗模式: Sleep 和 Stop
— 上電/掉電復位 (POR/PDR)
— 掉電檢測復位 (BOR)
— 可編程的電壓檢測 (PVD)
通用輸入輸出(I/O)
— 多達 30 個 I/O，均可作爲外部中斷
— 驅動電流 8mA
— 4 個 GPIO 支持超強灌電流，可配置爲
80mA/60mA/40mA/20mA
3 通道 DMA 控制器
1 x 12-bit ADC
— 支持 10 個外部輸入通道
— 輸入電壓轉換範圍: 0
~
VCC
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