晶閘管保護電容1UF 8000V
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產品詳情
“晶閘管保護電容1UF 8000V”參數說明
| 品牌： | PULOM | 類型： | 薄膜介質微調電容器 |
| 包裝方式： | 工業結構連接 | 薄膜種類： | 聚丙烯膜 |
| 線端方式： | 直流 | 電介質： | P 型 |
| 型號： | PGT-8000-1 | 規格： | 8000V 1UF |
| 商標： | PULOM | 包裝： | 紙箱 |
| 尺寸： | 80*140 | 產量： | 1520 |
“晶閘管保護電容1UF 8000V”詳細介紹
PULOM高壓保護電容 產品簡介
過壓保護 過壓保護電路 過壓保護器 簡單的過壓保護電路 過壓保護晶片 壓力錶過壓保護器 充電過壓保護 過壓保護裝置 零序過壓 穩壓器過壓
產品詳細資訊
PULOM CAP
Ⅰ產品特點/Introduction:
A.塑料外殼封裝，阻燃環氧樹脂灌注；
,Sealed with epoxy resin;
B.鍍錫銅插片引出，方便IGBT各種孔距安裝；
-plated copper inserts leads,easy installation F薄膜電容or IGBT
C.耐壓高，損耗小(tgθ)，溫升低
,low tgθ，low temperature rise
D.自感(ESL)小，等效串聯內阻小:(ESR)
E.高脈衝電流，高dv/dt承受能力
高儲能電容器|吸收電容|無感緩衝吸收電容|突波吸收|無感電容|IGBT突波吸收電容
高頻電容|吸收保護|高頻振盪電容器|高頻諧振電容器|電焊機電容器|電焊機專用電容器
CBB16電焊機電容器|CBB15電焊機電容器|CBB15電容器|PULOM PGT電容器
Ⅱ應用(Application):
一:IGBT 緩衝吸收(IGBT Snubber)
二:廣泛應用於電力電子設備中開關器件斷時的尖峯電流吸收保護
Widely used in power electronic equipment when the peak voltage,
peak current absorption protection.
一:IGBT 緩衝吸收(IGBT Snubber)
二:廣泛應用於電力電子設備中開關器件斷時的尖峯電流吸收保護
Widely used in power electronic equipment when the peak voltage,
peak current absorption protection.
工作溫度範圍/Operating temperature range -40 +85 +105℃
容量範圍0.1-10uF薄膜電容(0.1μF 0.47μF 0.47μ 0.15 0.22uF薄膜電容 0.33uF薄膜電容 0.47uF薄膜電容 0.5uF薄膜電容 0.56uF薄膜電容 0.68uF薄膜電容 0.82uF薄膜電容 1uF薄膜電容 1.5uF薄膜電容 2uF薄膜電容 2.2uF薄膜電容 2.5uF薄膜電容 2.7uF薄膜電容 3uF薄膜電容 3.3uF薄膜電容 3.5uF薄膜電容 4uF薄膜電容 4.5uF薄膜電容 4.7uF薄膜電容 5uF薄膜電容 5.6uF薄膜電容 6uF薄膜電容 6.8uF薄膜電容 7uF薄膜電容 8uF薄膜電容 9uF薄膜電容 10uF薄膜電容 6μF 8μF 10μF 12μF 15μ 18μF 20μF)
額定電壓(630Vdc 800V 1000v 1200v 1500v 1600v 2000v 2500v 3000V)承受電壓1.6倍的Un/10s
損耗角正切值(10KHz)：【tgθ≤0.05%(電容量≤1uF薄膜電容 )】【tgθ≤0.08%(電容量≥1uF薄膜電容】
絕緣電阻(100V20℃時)：【C≤0.33uF薄膜電容 Rs≥15000MΩ 】【C＞0.33uF薄膜電容 Rs*C≥5000s】
耐脈衝衝擊電流： dv/dt≥600v/us
阻燃等級 UL94V0級
指導生產標準：IEC61071;61881;GB/TT17702;PULOM企業標準
預期壽命18年
800V0.47uF薄膜電容 CBB15 PULOM PGT CBB16 IGBT無感吸收電容 150KHZ高儲能
容量範圍0.1-10uF薄膜電容(0.1μF 0.47μF 0.47μ 0.15 0.22uF薄膜電容 0.33uF薄膜電容 0.47uF薄膜電容 0.5uF薄膜電容 0.56uF薄膜電容 0.68uF薄膜電容 0.82uF薄膜電容 1uF薄膜電容 1.5uF薄膜電容 2uF薄膜電容 2.2uF薄膜電容 2.5uF薄膜電容 2.7uF薄膜電容 3uF薄膜電容 3.3uF薄膜電容 3.5uF薄膜電容 4uF薄膜電容 4.5uF薄膜電容 4.7uF薄膜電容 5uF薄膜電容 5.6uF薄膜電容 6uF薄膜電容 6.8uF薄膜電容 7uF薄膜電容 8uF薄膜電容 9uF薄膜電容 10uF薄膜電容 6μF 8μF 10μF 12μF 15μ 18μF 20μF)
額定電壓(630Vdc 800V 1000v 1200v 1500v 1600v 2000v 2500v 3000V)承受電壓1.6倍的Un/10s
損耗角正切值(10KHz)：【tgθ≤0.05%(電容量≤1uF薄膜電容 )】【tgθ≤0.08%(電容量≥1uF薄膜電容】
絕緣電阻(100V20℃時)：【C≤0.33uF薄膜電容 Rs≥15000MΩ 】【C＞0.33uF薄膜電容 Rs*C≥5000s】
耐脈衝衝擊電流： dv/dt≥600v/us
阻燃等級 UL94V0級
指導生產標準：IEC61071;61881;GB/TT17702;PULOM企業標準
預期壽命18年
800V0.47uF薄膜電容 CBB15 PULOM PGT CBB16 IGBT無感吸收電容 150KHZ高儲能
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