可控矽高溫阻斷耐久性試驗檯
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產品詳情
“可控矽高溫阻斷耐久性試驗檯”參數說明
是否有現貨: | 是 | 元器件種類: | 半導體器件測試儀 |
型號: | Zy-1600r | 規格: | Zy-1600r |
商標: | 西安智盈電氣 | 包裝: | 立式 |
產量: | 10 |
“可控矽高溫阻斷耐久性試驗檯”詳細介紹
產品簡介
該測試系統是晶閘管靜態參數檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。
該套測試設備主要有以下幾個單元組成:
1) 門極觸發參數測試單元
2) 維持電流測試單元
3) 阻斷參數測試單元
4) 通態壓降參數測試單元
5) 電壓上升率參數測試單元
6) 擎住電流
7) 門極電阻
8) 計算機控制系統
9) 合格證標籤列印
10) 夾具單元;包含平板夾具和模組夾具
二、技術條件
主要技術指標:
2.1 門極觸發電壓/門極觸發電流測試單元IGT/VGT
1. 陽極電壓:12V;
2. 陽極串聯電阻:6Ω;
3. 門極觸發電壓:0.3~5.00V±3%±10mV;
4. 門極觸發電流:2~450mA±3%±1 mA;
2.2 維持電流測試單元IH
1. 陽極電壓:12V;
2. 預導通電流: >10A,正弦衰減波;
3. 維持電流: 2~450mA ±5%±1 mA;
4. 測試頻率:單次;
2.3 通態壓降測試單元VTM
1. 平板器件通態電流:0.10~5.00kA,解析度:0.01kA,精度±1 0A±5%;
2. 模組器件通態電流:0.10~2.00kA,解析度:0.01kA,精度±1 0A±5%;
3. 電流上升沿時間:≥5ms;
4. 通態壓降測試範圍: 0.20~10.00V, 解析度:0.01V,精度±0.1 V±5%;
5. 測試頻率:單次;
2.4 斷態電壓/斷態漏電流VD/ID;反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元
1. 阻斷電壓:0.20~6.00kV,解析度:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;
模組單元阻斷電壓:0.20~4.00kV
2. 正反向自動測試:
3.正/反向漏電流:0.2~100 mA,解析度:0.1 mA;
精度:±5%±1 mA;
4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定範圍值;在測試時電壓或漏電流超過所 設定的範圍則自動保護。
5. 測試頻率: 50HZ
2.5 斷態電壓臨界上升率測試單元dv/dt
1. 電壓:1200V,1600V,2000V三檔,解析度:1V,精度±5%;
2. 電壓過沖範圍:<50V±10%
電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;
2.6 擎住電流IL:100-1800mA
2.7 平板夾具壓力範圍:6-60KN,氣動加壓方式
三、功能概述
3-1測試功能範圍
該套測試設備主要可測試以下參數:
1. 門極參數測試:VGT、IGT
2. 維持電流測試:IH
3. 阻斷參數測試:本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極體的VRRM、IRRM等參數。
4. 壓降單元
本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數。
5、 電壓上升率參數測試:dv/dt
6、 擎住電流IL
7、 門極電阻:適合門極觸發電壓在0.95V以上器件測試
3-2、測試方法和測試準則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關於晶閘管測試的具體規定。北京半導體測試行業
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