艾拓斯新材料科技(蘇州)有限公司

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經營模式: 生產製造

所在地區: 江蘇省  蘇州市

認證資訊: 身份認證

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艾拓斯新材料科技(蘇州)有限公司是金屬磁控濺射鍍膜靶材,貴金屬靶材,鍍膜設備及配件的優良生產製造廠家,竭誠爲您提供全新的Nb高純鈮靶 氧化鈮Nb2O5靶 MoNb鉬鈮靶,ITO氧化銦錫, ITO薄膜即銦錫氧化物,Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒等系列產品。

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鈦酸 BaTiO3 鈦酸 靶 磁控濺射PVD靶

圖片審覈中 鈦酸 BaTiO3 鈦酸  靶 磁控濺射PVD靶
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鈦酸 BaTiO3 鈦酸  靶 磁控濺射PVD靶

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產品詳情

“鈦酸 BaTiO3 鈦酸 靶 磁控濺射PVD靶”參數說明

是否有現貨: 形態: 固態
型號: Batio3-003、basrtio3 規格: 圓、片、塊、綁定
商標: Aetoes 包裝: 真空包裝
產量: 10000

“鈦酸 BaTiO3 鈦酸 靶 磁控濺射PVD靶”詳細介紹

鈦酸 BaTiO3 鈦酸 靶 磁控濺射PVD靶基本介紹

Barium Titanate (BaTiO3),即鈦酸 靶材

  • 作爲一種無機物,以其獨特的物理化學性質在電子陶瓷領域佔據了舉足輕重的地位,被譽爲“電子陶瓷工業的支柱”。其化學式BaTiO3簡潔明瞭地揭示了其組成元素,而正是這些元素的精妙結合,賦予了鈦酸 高介電常數和低介電損耗的特性。

我司專注研發與生產,鑄就行業精品。公司生產氧化物材料如下

 

OXIDES 氧化物

Aluminum Oxide (Al2O3)

Magnesium Oxide (MgO)

Antimony Oxide (Sb2O3)

Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3)

Barium Titanate (BaTiO3)

Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3)

Bismuth Oxide (Bi2O3)

Molybdenum Oxide (MoO3)

Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11)

Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4)

Cerium Oxide (CeO2)

Nickel-Cobalt Oxide(NiCoO2)

Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4)

Niobium Pentoxide (Nb2O5)

Chromium Oxide (Cr2O3)

Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3

Chromium Oxide (Eu doped)

Rare Earth Oxides (La2O3)

Gallium Oxide (Ga2O3)

Silicon Dioxide (SiO2)

Germanium Oxide (GeO3)

Silicon Monoxide (SiO)

Hafnium Oxide (HfO2)

Tantalum Pentoxide (Ta2O5)

Indium Oxide (In2O3)

Tin Oxide (SnO2)

Indium-Tin Oxide (ITO)

Titanium Dioxide (TiO2)

Iron Oxide (Fe2O3)

Tungsten Oxide (WO3)

Lanthanum Oxide(La2O3)

Yttrium Oxide (Y2O3)

Lead Titanate(PbTiO3)

Yttrium-Aluminum Oxide (Y3Al5O12)

Lead Zirconate (ZrPbO3)

Zinc Oxide (ZnO)

Lithium Niobate (LiNbO3)

Zinc Oxide/Aluminum Oxide (Al2O3)

Lithium-Cobalt Oxide (CoLiO2)

Zirconium Oxide (ZrO2)

二、1在電子陶瓷行業中,鈦酸 靶材的應用優勢尤爲突出。首先,其高介電常數使得鈦酸 成爲電容器、壓電感測器、熱敏電阻等電子元件中的關鍵材料。這些元件廣泛應用於通信、計算機、家電、汽車電子等多個領域,對於提升產品性能、降低能耗具有重要意義。例如,在電容器中,鈦酸 的高介電常數能夠顯著提高電容值,使得電容器在小的體積下實現大的儲能能力,滿足電子設備小型化、集成化的需求。

2鈦酸 的低介電損耗特性確保了電子元件在高頻、高功率條件下仍能保持穩定的性能輸出。在無線通信、雷達探測等高頻應用場景中,低介電損耗能夠減少能量損失,提高信號傳輸效率,爲通信技術的快速發展提供了有力支持。

3鈦酸 還具有良好的機械性能、熱穩定性和化學穩定性,能夠在惡劣的工作環境下保持穩定的性能表現。這使得鈦酸 靶材在航空航太、國防 等 領域也具有廣泛的應用前景。例如,在航太器的電子元器件中,鈦酸 靶材可以製備出耐高溫、抗輻射的薄膜材料,保障航太器在極端環境下的正常運行。

綜上所述,鈦酸 靶材以其高介電常數、低介電損耗、良好的機械性能、熱穩定性和化學穩定性等 特性,在電子陶瓷行業中展現出巨大的應用優勢。它不僅推動了電子元件的小型化、集成化進程,還提升了電子產品的整體性能和使用壽命。隨着科技的不斷進步和應用領域的不斷拓展,鈦酸 靶材的應用前景將廣闊,爲電子陶瓷工業的持續發展注入新的活力。

鈦酸 BaTiO3 鈦酸 靶 磁控濺射PVD靶性能特點

BaSrTiO3(鈦酸 ))靶材

BaSrTiO3(鈦酸 )靶材,作爲一種高性能的濺射靶材材料,憑藉其 的物理化學特性和廣泛的應用潛力,在電子工程、材料科學及多個高科技領域展現出顯著的優勢。

我司專注研發與生產,鑄就行業精品。所生產氧化物材料如下:

OXIDES 氧化物

Aluminum Oxide (Al2O3)

Magnesium Oxide (MgO)

Antimony Oxide (Sb2O3)

Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3)

Barium Titanate (BaTiO3)

Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3)

Bismuth Oxide (Bi2O3)

Molybdenum Oxide (MoO3)

Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11)

Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4)

Cerium Oxide (CeO2)

Nickel-Cobalt Oxide(NiCoO2)

Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4)

Niobium Pentoxide (Nb2O5)

Chromium Oxide (Cr2O3)

Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3

Chromium Oxide (Eu doped)

Rare Earth Oxides (La2O3)

Gallium Oxide (Ga2O3)

Silicon Dioxide (SiO2)

Germanium Oxide (GeO3)

Silicon Monoxide (SiO)

Hafnium Oxide (HfO2)

Tantalum Pentoxide (Ta2O5)

Indium Oxide (In2O3)

Tin Oxide (SnO2)

Indium-Tin Oxide (ITO)

Titanium Dioxide (TiO2)

Iron Oxide (Fe2O3)

Tungsten Oxide (WO3)

Lanthanum Oxide(La2O3)

Yttrium Oxide (Y2O3)

Lead Titanate(PbTiO3)

Yttrium-Aluminum Oxide (Y3Al5O12)

Lead Zirconate (ZrPbO3)

Zinc Oxide (ZnO)

Lithium Niobate (LiNbO3)

Zinc Oxide/Aluminum Oxide (Al2O3)

Lithium-Cobalt Oxide (CoLiO2)

Zirconium Oxide (ZrO2)

Lutetium-Iron Oxide (garnet) (Fe2LuO4)

 

一、首先,從材料的基本特性來看,BaSrTiO3靶材以其高純度爲顯著特點。高純度的原料選擇,結合精細的製備工藝,如溶膠-凝膠法、水熱法或共沉澱法等,確保了靶材中雜質含量極低,從而提升了其整體性能的穩定性和可靠性。此外,BaSrTiO3靶材通常具有相對較高的密度,這意味着在濺射過程中,它能夠提供 爲均勻、緻密的薄膜,這對於製備高質量、高性能的電子器件至關重要。至於熔點,由於BaSrTiO3是鈦酸 (BaTiO3)和鈦酸 (SrTiO3)的固溶體,其熔點可能介於兩者之間,這使得它在高溫處理過程中仍能保持結構的穩定性和化學的惰性。

二、1在行業應用中,BaSrTiO3靶材的優勢尤爲突出。作爲一種多鐵性材料,BaSrTiO3展現出良好的軟磁、壓電、光學和電學性能,使其成爲壓電共振器、微波器件、發電機、超聲產生器、儲能器件和隨機訪問記憶體等領域的理想材料。在電容器領域,相比傳統的鋰鈦酸鋰電池材料,BaSrTiO3具有 的比容量和 長的迴圈壽命,這使其在儲能技術方面具備重要應用潛力。此外,BaSrTiO3在光學方面也有廣泛應用前景,可用於製作光學濾波器、光學波導等器件,爲光電子技術的發展提供有力支持。

2特別是在薄膜製備方面,BaSrTiO3靶材通過濺射法、脈衝 射沉積法、分子束外延等多種先進技術手段,可以製備出高質量、高取向的薄膜材料。這些薄膜不僅適合後續釔 銅氧薄膜的生長,還可直接應用於動態隨機記憶體電子器件中,展現了其巨大的應用價值和市場前景。

綜上所述,BaSrTiO3鈦酸 靶材以其高純度、高密度及優異的電學、光學和壓電性能,在電子工程、材料科學及多個高科技領域中發揮着重要作用。隨着科學技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展,BaSrTiO3靶材必將迎來 加廣闊的發展前景。

鈦酸 BaTiO3 鈦酸 靶 磁控濺射PVD靶技術參數
 
鈦酸 BaTiO3 鈦酸 靶 磁控濺射PVD靶使用說明
 
鈦酸 BaTiO3 鈦酸 靶 磁控濺射PVD靶採購須知
 

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