艾拓斯新材料科技(蘇州)有限公司

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經營模式: 生產製造

所在地區: 江蘇省  蘇州市

認證資訊: 身份認證

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艾拓斯新材料科技(蘇州)有限公司是金屬磁控濺射鍍膜靶材,貴金屬靶材,鍍膜設備及配件的優良生產製造廠家,竭誠爲您提供全新的高純ZrO2氧化鋯 鋯Zr 科研實驗 濺射鍍膜,氧化錫鋅靶材ZnSnO1 濺射鍍膜,氧化鐿靶材Yb2O3 濺射鍍膜氧化鐿靶等系列產品。

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Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒

圖片審覈中 Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒
Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒 Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒 Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒
Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒

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產品詳情

“Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒”參數說明

是否有現貨: 形態: 固態
型號: Hf-003 規格: 圓、片、塊、綁定
商標: Aetoes 包裝: 真空包裝
產量: 10000

“Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒”詳細介紹

Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒基本介紹

Hf鉿靶材,一種精密的磁控濺射靶材

 

一、Hf鉿靶材,作爲一種精密的磁控濺射靶材,在現代科研、高等教育實驗室以及工業鍍膜技術中佔據着舉足輕重的地位。其獨特的材料特性——高純度、優異的物理性能以及卓化學穩定性,共同構築了Hf靶材在多個領域廣泛應用的基礎。我司專注研發與生產,鑄就行業精品。公司生產單材質靶材、電子束蒸發顆粒材料如下:

SINGLE ELEMENTS 單材質靶材、電子束蒸發顆粒

Aluminum (Al)

Nickel (Ni)

Antimony (Sb)

Niobium (Nb)

Arsenic (As)

Osmium (Os)

Barium (Ba)

Palladium (Pd)

Beryllium (Be)

Platinum (Pt)

Boron (B)

Rhenium (Re)

Cadmium (Cd)

Rhodium (Rh)

Carbon (C)

Rubidium (Rb)

Chromium (Cr)

Ruthenium (Ru)

Cobalt (Co)

Selenium (Se)

Copper (Cu)

Silicon (Si)

Gallium (Ga)

Silver (Ag)

Germanium (Ge)

Tantalum (Ta)

Gold (Au)

Tellurium (Te)

Hafnium (Hf)

Tin (Sn)

Indium (In)

Titanium (Ti)

Iridium (Ir)

Tungsten (W)

Iron (Fe)

Vanadium (V)

Lead (Pb)

Yttrium (Y)

Magnesium (Mg)

Zinc (Zn)

Manganese (Mn)

Zirconium (Zr)

Molybdenum (Mo)

 

 

二、材料特性解析

1高純度Hf鉿靶材的純度是其核心價值所在。市場上高品質的Hf靶材往往能達到99.95%甚至純度標準,這意味着在製備過程中幾乎去除了所有雜質元素,從而確保了濺射過程中產生的Hf離子束的純淨度。高純度不僅提升了鍍膜或薄膜的均勻性和一致性,還減少了因雜質引起的性能下降或缺陷,爲科研和工業應用提供了可靠保障。

2良好的物理性能Hf鉿作爲一種過渡金屬,具有適中的密度和較高的熔點(約2233°C)。適中的密度使得Hf靶材在濺射過程中能夠保持穩定的濺射速率和濺射效率,而高熔點則確保了靶材在高溫環境下的穩定性和耐久性。這些物理性能共同賦予了Hf靶材在極端條件下工作的能力,滿足了高精度、高穩定性鍍膜工藝的需求。

3化學穩定性Hf鉿靶材在多種化學環境中均表現出良好的穩定性,不易與常見氣體或溶液發生反應。這種化學穩定性使得Hf靶材在鍍膜過程中能夠保持其原有的物理和化學性質,避免了因化學反應導致的性能變化或污染問題。

三、行業應用優勢

1科研與高校實驗室:在科研和高校實驗室中,Hf靶材因其高純度和優異的性能成爲製備高質量薄膜、納米材料以及進行材料表面改性的理想選擇。科研人員可以利用Hf靶材進行各種基礎研究和應用開發,探索新材料、新技術和新工藝,推動科技進步和產業升級。

2工業鍍膜:在工業鍍膜領域,Hf靶材的應用範圍廣泛且深入。無論是半導體製造中的柵極材料、光學器件中的反射膜還是太陽能電池中的電極材料,Hf靶材都能憑藉其高精度和高穩定性爲產品提供性能保障。特別是在需要高純度、高均勻性和高附着力的鍍膜工藝中,Hf靶材是不可或缺的關鍵材料。

3定製化 :隨着市場需求的多樣化和個性化發展,Hf靶材供應商開始提供靈活和定製化的 。不同規格、不同純度和不同加工方式的Hf靶材應運而生,以滿足不同客戶在不同應用場景下的特定需求。這種定製化 不僅提升了Hf靶材的市場競爭力,還促進了其在廣泛領域的應用和發展。

綜上所述,Hf鉿靶材以其高純度、良好的物理性能和化學穩定性在科研、高校實驗室以及工業鍍膜等領域展現出了巨大的應用潛力和價值。隨着技術的不斷進步和市場需求的持續增長,Hf靶材必將在未來發展中發揮重要的作用,爲科技進步和產業發展貢獻力量。

Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒性能特點

Hafnium Oxide (HfO2)二氧化鉿靶材一種精密的磁控濺射靶材

 

一、 HfO2,即二氧化鉿,是一種由鉿元素和氧元素組成的化合物,因其獨特的物理化學性質,在多個高科技領域具有廣泛的應用價值。以下是對HfO2靶材材料的特性及其在行業中的應用優勢的詳細闡述。

OXIDES 氧化物

Aluminum Oxide (Al2O3)

Magnesium Oxide (MgO)

Antimony Oxide (Sb2O3)

Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3)

Barium Titanate (BaTiO3)

Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3)

Bismuth Oxide (Bi2O3)

Molybdenum Oxide (MoO3)

Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11)

Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4)

Cerium Oxide (CeO2)

Nickel-Cobalt Oxide(NiCoO2)

Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4)

Niobium Pentoxide (Nb2O5)

Chromium Oxide (Cr2O3)

Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3

Chromium Oxide (Eu doped)

Rare Earth Oxides (La2O3)

Gallium Oxide (Ga2O3)

Silicon Dioxide (SiO2)

Germanium Oxide (GeO3)

Silicon Monoxide (SiO)

Hafnium Oxide (HfO2)

Tantalum Pentoxide (Ta2O5)

Indium Oxide (In2O3)

Tin Oxide (SnO2)

Indium-Tin Oxide (ITO)

Titanium Dioxide (TiO2)

Iron Oxide (Fe2O3)

Tungsten Oxide (WO3)

Lanthanum Oxide(La2O3)

Yttrium Oxide (Y2O3)

Lead Titanate(PbTiO3)

Yttrium-Aluminum Oxide (Y3Al5O12)

Lead Zirconate (ZrPbO3)

Zinc Oxide (ZnO)

Lithium Niobate (LiNbO3)

Zinc Oxide/Aluminum Oxide (Al2O3)

Lithium-Cobalt Oxide (CoLiO2)

Zirconium Oxide (ZrO2)

Lutetium-Iron Oxide (garnet) (Fe2LuO4)

 

 

二、材料特性解析

首先,從純度方面來看,HfO2靶材的純度通常高達99.99%,這爲其在科技領域的應用提供了堅實的基礎。高純度的靶材能夠確保製備出的薄膜具有優異的電學和光學性能,減少因雜質和缺陷導致的性能下降。在半導體、光學和光伏行業中,薄膜的純度直接關係到產品的性能和可靠性,因此,高純度的HfO2靶材成爲這些領域不可或缺的材料。

其次,密度是材料的一個重要物理性質。HfO2靶材的密度約爲9.68g/cm3,這使得它在製備薄膜時能夠提供好的濺射效率和覆蓋均勻性。高密度的靶材在濺射過程中能夠釋放出多的原子或分子,從而提高薄膜的生長速率和厚度均勻性。此外,密度還影響材料的硬度和耐磨性,使得HfO2靶材在製備耐磨、耐腐蝕薄膜方面具有顯著優勢。

熔點方面,HfO2靶材的熔點高達2758℃(也有說法認爲其某種晶體結構的熔點爲2050℃左右),這一特性使其在高溫環境下具有出色的穩定性和耐久性。高熔點意味着HfO2靶材能夠在極端高溫條件下保持結構穩定,不易熔化或變形,這對於製造高溫部件、高溫感測器等應用至關重要。此外,高熔點還使得HfO2靶材在製備高溫薄膜時具有獨特的優勢,能夠在高溫下保持薄膜的完整性和性能。

三、行業應用優勢

在行業中,HfO2靶材的應用優勢主要體現在以下幾個方面:

1、半導體行業:HfO2作爲一種高介電常數氧化物,在半導體行業中被廣泛用作柵介質材料。由於其高介電常數和良好的熱穩定性,HfO2靶材能夠替代傳統的SiO2柵極絕緣層,解決MOSFET等傳統器件中SiO2/Si結構的發展尺寸極限問題,提高器件的性能和可靠性。

2、光學行業:HfO2靶材在光學領域的應用主要集中在製備高透光率、高折射率的薄膜上。這些薄膜被廣泛應用於LED、太陽能電池等光電器件中,能夠顯著提高器件的光吸收能力和光電轉換效率。此外,HfO2靶材還可用於製備干涉膜、增透膜等光學薄膜,提高光學器件的性能和穩定性。

3、航空航太和化工領域:由於HfO2靶材具有優異的耐高溫、耐腐蝕、高硬度等特點,使其在航空航太和化工領域具有廣泛的應用前景。在航空航太領域,HfO2靶材可用於製造高溫發動機部件、高溫渦輪葉片等高溫部件;在化工領域,HfO2靶材可用於製造高溫反應器、高溫催化劑等耐腐蝕設備。

綜上所述,HfO2靶材以其高純度、高密度和高熔點等獨特性質,在半導體、光學、航空航太和化工等多個領域展現出廣泛的應用優勢。隨着科技的不斷發展,HfO2靶材的應用前景將會加廣闊,爲科技進步和產業發展提供有力支撐。

Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒技術參數

HfZrO?靶材

一、HfZrO?的基本性質

1組成成分HfZrO?是由鉿(Hf)、鋯(Zr)和氧(O)組成的化合物。

2晶體結構:它具有特定的晶體結構,這種結構賦予了它一些特殊的物理和化學性質。

4密度:具有較高的密度,這對於其在某些應用中的性能有重要影響,例如在薄膜沉積時對薄膜的緻密性可能產生關聯。

5硬度:通常具有一定的硬度,這使得它在耐磨等方面可能有潛在的應用價值。

我司深耕靶材領域十年,專注研發與生產,鑄就行業精品。公司生產氧化物靶材如下:

 

 

二、HfZrO?靶材的製備

1原料選擇選擇高純度的鉿源、鋯源和氧源作爲基礎原料,原料的純度對於靶材的 終性能至關重要。例如,高純度的鉿和鋯金屬或者化合物,以確保減少雜質對靶材性能的影響。

2製備工藝粉末冶金法

首先將鉿、鋯的氧化物或其他化合物製成粉末,按照一定的比例混合均勻。然後通過 壓製、燒結等工藝製成靶材。在 壓製過程中,需要控制壓力等參數以保證靶材的密度和均勻性。燒結過程的溫度、時間和氣氛等也需要精確控制,例如在高溫下燒結可以提高靶材的緻密度。

 

Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒使用說明
 
Hf鉿靶材 HfO2二氧化鉿靶 鉿顆粒採購須知
 

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