SiC用高溫離子注入設備 IH-860DSIC
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產品詳情
“SiC用高溫離子注入設備 IH-860DSIC”參數說明
| 別名： | SiC用高溫離子注入設備 IH-860D | 是否有現貨： | 否 |
| 品牌： | UlVAC | 用途： | SiC用高溫離子注入設備 IH-860D |
| 自動化程度： | 全自動 | 是否加工定製： | 是 |
| 電流： | 其他 | 型號： | IH-860DSIC |
| 商標： | UlVAC | 包裝： | 木箱 |
“SiC用高溫離子注入設備 IH-860DSIC”詳細介紹
公司現已推出可用於使用SiC晶圓的家電和汽車功率元件量產的離子注入設備“IH-860DSIC”。吞吐量爲30枚/小時（支持直徑爲75mm-150mm的晶圓），“現已得到元件廠商的充分肯定，完全可用於量產”（Ulvac公司）。面向SiC元件量產的離子注入設備“爲業界 ”（Ulvac公司），希望得到那些計劃2006年以後開始SiC元件量產的功率元件廠商的採用。
可在真空腔中連續 換晶圓
面向SiC元件的離子注入設備過去一直在由各設備廠商進行開發，吞吐量較低，每天僅有幾枚，不適合量產。吞吐量之所以較低，是因爲無法在腔內連續 換晶圓。與矽晶圓相比，SiC晶圓容易因離子注入而產生結晶缺陷，注入離子時需要將晶圓溫度維持在500℃的高溫，在控制結晶缺陷產生的同時，注入離子。過去一直都是手工將晶圓固定在可調溫的晶圓座上，因此 換晶圓時需要在腔內進行放氣。
此次通過給設備配備可調溫的靜電吸盤（Electrostatic Chuck），解決了上述問題。靜電吸盤就是利用靜電作用力，將晶圓吸附到晶圓座上，能夠在真空腔內連續 換晶圓。另外，通過採用可在2個晶圓座上配置SiC晶圓的系統結構，能夠一邊向一個晶圓進行離子注入，一邊同時給另一個晶圓座進行升溫作業。由此，將吞吐量提高到了30枚/小時這種適用於量產的水準。
實現了支持SiC的高注入能量
此次的設備除吞吐量之外，還克服了量產所需的另一個條件。作爲SiC晶圓，注入離子時在使晶圓保持高溫的同時，還需要加大注入能量。其原因在於，在離子注入完成後爲消除結晶缺陷而進行退火處理時離子不易擴散，因此注入時需要給底板的表面至深處都注入離子。此次的設備將注入能量由過去的約400keV提高到了 700keV，達到了量產所要求的水準。
離子注入設備
SiC用高溫離子注入設備 IH-860DSIC
搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤）的面向SiC量產用的高能粒子注入裝置。
產品特性 / Product characteristics
？ 可實現自動連續高溫處理注入
？ 1價離子可注入至350keV、2價離子可注入至700keV
（Option：1價離子可注入至430keV、2價離子可注入至860keV）
？ 通過Dual-End-Station（雙工位）實現高產能；
（A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等，可配合客戶的希望就行規格配置）
？ 可減輕操作員的負擔
？ 緊湊式設計
？ 可大範圍對應從試作到量產的各類需求
產品應用 / Product application
？ 對應SiC的離子注入裝置。
研究開發用中電流離子注入設備IMX-3500
中電流離子注入裝置IMX-3500爲 能量200keV、對應 晶圓尺寸8inch的離子注入裝置，適用於大學等機構的研究開發。
產品特性 / Product characteristics
？ 晶圓尺寸8inch，搭載了可對應不定形基板的臺板。
？ 離子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面 容易處理的B、P、As離子等固體蒸發源。
？ HV terminal的部分，與量產裝置是同樣的構成，可確保高信賴性。
產品應用 / Product application
？ 教育、研究開發等
高能對應離子注入設備SOPHI-400
可對應至2400KeV的高能離子注入裝置。
產品特性 / Product characteristics
？ 枚葉式
？ 可對應薄片Wafer
？ 平行Beam
產品應用 / Product application
？ 功率器件相關薄片基板工藝、IGBT工藝
可對應低速高濃度的離子注入設備SOPHI-30
低加速、高濃度對應的離子注入設備。
產品特性 / Product characteristics
？ 枚葉式
？ 可對應薄片
？ 非質量分離機的對比優點
1)對應低加速.高濃度的好產能離子注入設備
2)相比過去約一半的低價
3)相比過往設備佔用面積爲1/3的緊湊型設計
產品應用 / Product application
？ Power Device等薄片基板工藝、IGBT工藝
產品參數 / Product parameters
？ 基板尺寸：Max200mm
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