EVG 301 單晶圓清洗系統基本介紹

EVG®301  Single Wafer Cleaning System

EVG®301  單晶圓清洗系統

 

研髮型單晶圓清洗系統

 

EVG301半自動化單晶片清洗系統採用一個清洗站，該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學藥品作爲附加清洗選項來清洗晶片。

EVG301具有手動載入和預對準功能，是一種多功能的R＆D型系統，適用於靈活的清潔程式和300 mm的能力。

EVG301系統可與EVG的晶圓對準和鍵合系統結合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉夾頭可用於不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕鬆設置不同的工藝。

 

特徵

使用1 MHz的超音速噴嘴或區域感測器（可選）進行 清潔

單面清潔刷（選件）

用於晶圓清洗的稀釋化學品

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟體控制的清潔過程

 

選件

帶有紅外檢查的預粘接臺

非SEMI標準基材的工具

技術資料

晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米

清潔系統：開室，旋轉器和清潔臂

腔室：由PP或PFA製成（可選）

清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）

旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料製成

 

旋轉： 3000 rpm（5秒內）

超音速噴嘴：頻率：1 MHz（3 MHz選件）

輸出功率：30-60 W

去離子水流量： 1.5升/分鐘

有效清潔區域：Ø4.0 mm

材質：聚四氟乙烯

兆聲區域感測器：頻率：1 MHz（3 MHz選件）

輸出功率： 2.5 W /cm²有效面積（ 輸出200 W）

去離子水流量： 1.5升/分鐘

有效的清潔區域：三角形，確保每次旋轉時整個晶片的輻射均勻性

材質：不鏽鋼和藍寶石；刷；材質：PVA

可編程參數：刷子和晶圓速度（rpm）；可調參數（刷壓縮，介質分配）

EVG 301 單晶圓清洗系統性能特點

 

EVG 301 單晶圓清洗系統技術參數

 

EVG 301 單晶圓清洗系統使用說明

 

EVG 301 單晶圓清洗系統採購須知