EVG光刻機主要應用於 半導體光電器件、功率器件、感測器、混合電路、微波器件及微電子機械系統（MEMS 、 ） 矽片凸點、晶片級封裝以及化合物半導體 等 ， 涵蓋了微電子領域微米或亞微米級線條的晶片的光刻應用。

主要特點

1. 高解析度的頂部和底部顯微鏡 2. 雙面光刻和鍵合對準工藝       3. 自動的微米計控制曝光間距       4. 自動契型補償系統        5. 優異的全局光強均勻度       6. 快速 換不同規格尺寸的矽片       7. 高度自動化系統        圖形化用戶界面 9. 可選配Nanoalign 技術包以達到 的工藝能力 10. 薄矽片或翹曲矽片處理系統可選 11. 光刻工藝模擬軟體可選 12. 三花籃上料臺，可選五花籃臺            

技術參數

襯底/晶片尺寸（mm） 2 ’ ,3 ’ --150mm，150mm*150mm，0.1-10mm 厚度 掩膜板最大尺寸 7'*7' 物鏡間距 8-30mm連續可調 對準方式 上部對準，CCD ±0.5um（手動半自動），全自動±1.0um，3σ 上部對準，目鏡 可選 底部對準 ±1.0um（手動半自動 ） ,全自動±1.25um，3σ 紅外對準 可選 鍵合對準 可選 Nanoalign 可選 大間隙對準 全自動±1.5um，3σ 工作臺 精密微米計 手動或自動（選） 載片臺 真空吸盤式，接近式隔離塊（可選） 接觸壓力 0.5-80N可調 曝光 方式 接近式，軟、硬、真空接觸 解析度 真空接觸式<1.0um,接近式≤2um 波長 200-240nm/240-280nm/280-350nm/ 350-450 nm; 濾波片（可選） 光強均勻性 ≤2% 燈 350 W, 500 W ， 1000W 納米壓印光刻 硬壓頭 可選；低於 100nm 的特徵線條 軟壓頭 可選