FAI 微光發射顯微鏡（EMMI）
FAI Photo Emmission Microscope

 

FAI 微光發射顯微鏡用於檢測半導體內部缺陷引起的微光發射或微熱發射來準確定位半導體器件的失效位置。通過使用不同類型的探測器，或者配置雙 射掃描系統（SIFT），以及配合相應的檢測軟體來實現對半導體元器件或晶片電路的微光、微熱、光激勵誘導失效測試等各種分析手段。

FAI的Crystal Vision微光發射顯微鏡系統對所配置探測器的數量沒有限制，可選擇配置從一個到我們提供的所有型號的探測器和SIFT 射掃描頭。

主要功能

CCD探測器：波長探測範圍 365nm 至 1190nm；帶電子半導體製冷器（TEC）的CCD探測器，可冷卻穩定在 -40℃以下，無需使用危險的液氮製冷劑；CCD解析度爲1280x1024；像素暗電流<0.002 電子/秒；讀噪聲<7 個電子；連續收集信號時間從32毫秒至2小時。

InGaAs探測器：波長探測範圍 900nm – 1750nm；帶電子半導體製冷器（TEC）的InGaAs探測器，可冷卻穩定在 -40℃以下，無需使用危險的液氮製冷劑； InGaAs探測器解析度爲320x240，像素點尺寸爲30 x 30um， 的像素點面積可以收集 少的光子，探測靈敏度是普通640x480 InGaAs探測器的4倍；連續收集信號時間從1微秒到60分鍾；有效波段範圍內量子效率（QE）爲 80-85%；靈敏度 NEI <1x1010 ph/cm2/sec；量子效率>70 QE 在950-1700nm範圍內。 

VisGaAs 探測器：波長探測範圍 500nm – 1800nm，代表了新技術的VisGaAs 探測器覆蓋了可見光-紅外光波長檢測範圍，一個探頭就可替代傳統的CCD和InGaAs 兩個探測器；半導體製冷器（TEC） ，可冷卻穩定在 -40℃以下。

SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)雙波長 射掃描頭：雙 射源654nm和1428nm；通過 射掃描晶片電路，導致失效位置電阻發生變化，通過檢測反饋信號的變化，從而檢測到失效位置；SIFT掃描不受物鏡視野限制，可以一次掃描完整整個檢測區域，無需圖像拼接，避免圖像扭曲；FAI的恆定電流附加反饋迴路的技術，不但提高了檢測靈敏度，而且避免了檢測時電壓過高的風險；恆定焦距的定鏡掃描，可以將 射點停留在任意指定位置，用於確認失效點。

FMI熒光熱成像技術：FAI的微熱分析技術，熱解析度是千分之一K(1/1000K)，可以室溫操作，無需使用危險的液晶溶液。

LC液晶熱成像技術：FAI的SLC（穩定液晶）液晶熱成像技術的熱解析度爲百分之一K (1/100 K)。

Moire雲紋成像：從矽片背面採用“雲紋圖像成像”的方式來檢測失效位置的微熱變化。