純鉬加工件 離子注入機耗材 半導體耗材基本介紹

離子注入是半導體生產中的重要工藝。注入機系統在晶圓中引入外來原子以改變材料特性，例如電導率或晶體結構。離子束路徑是注入機系統的中心。離子在此處產生、聚集，並經加速後以速度射向晶圓。

我們的部件和備件由難熔金屬製成，有助於確保此過程儘可能、精密且不含雜質。

純鉬加工件 離子注入機耗材 半導體耗材性能特點

普通材料通常會出現溫度高達 1400°C、強電磁場、腐蝕性工藝氣體以及高機械力等問題。但我們的產品不會。我們的耐熱部件由鉬、鎢、石墨或陶瓷製成，集耐腐蝕性、材料強度、良好熱導率和純度於一體。

純鉬加工件 離子注入機耗材 半導體耗材技術參數

離子注入是一種低溫過程，通過該過程，一種元素的 離子被加速進入固體靶標，從而改變靶標的物理，化學或電學性質。離子注入被用於 半導體器件的製造， 金屬表面處理以及 材料科學研究中。如果離子停止並保留在靶中，則離子會改變靶的元素組成（如果離子與靶的組成不同）。當離子以高能量撞擊 目標時，離子注入還會引起化學和物理變化。靶的 晶體結構可能被高能碰撞級聯破壞甚至破壞，並且能量足夠高的離子（MeV的10s）會引起核trans變。

純鉬加工件 離子注入機耗材 半導體耗材使用說明

離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時， 離子束把固體材料的原子或分子撞出固體 材料表面，這個現象叫做濺射；而當離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現象叫做散射；另外有一種現像是，離子束射到固體材料以後，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，並 終停留在固體材料中的這一現象叫作離子注入。

離子注入設備通常包括一個離子源和一個靶室，在離子源中產生所需元素的離子，在加速器中離子被靜電加速成高能，在靶室中離子撞擊到作爲 材料的靶上被植入。因此，離子注入是粒子輻射的特例。每個離子通常是單個 原子或 分子，因此，植入到目標中的實際材料量是離子電流隨時間的積分。該量稱爲劑量。植入物提供的電流通常很小（微安培），因此可以在合理的時間內植入的劑量很小。因此，離子注入在所需的化學變化量小的情況下得到應用。

純鉬加工件 離子注入機耗材 半導體耗材採購須知

付款方式：預付30%，餘款發貨前付清。

交貨方式：快遞或物流發送到客戶制定地點，也可自提。 

包裝方式：環保紙箱或標準木箱包裝，內附質量證明書及裝箱單等。