IRF830-MOS管-場效應管-MOSFET
　　
　　
　　
　　概述
　　場效應電晶體（Field　Effect　Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱爲單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10＾8～10＾9Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、 工作區域寬等優點，現已成爲雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
　　
　　
　　
　　產品特性：
　　
　　熱阻低、開關速度快、輸入阻抗高、符合RoHS規範
　　
　　
　　
　　主要參數：
　　
　　漏-源電壓VDS≥500V　漏極電流ID＝5.5A　導通電阻RDS≤1ohm
　　
　　
　　
　　
　　包裝方式
　　
　　管裝
　　
　　應用領域
　　
　　電子鎮流器、電子變壓器、逆變器、 充電器、開關電源等
　　
　　
　　
　　SEMIWILL爲您提供全系列的MOS場效應管產品，按照封裝形式，可以分爲：TO-251、TO-126、TO-220、TO-220F、TO-3P、TO-247等插件封裝形式和TO-252、TO-263等貼片封裝形式。