工藝系統：由真空電弧離子鍍膜（ARC）+離子束清洗（IONBEAM）+磁控濺射（SPUTTER）組合而成。

系列設備通過冷陰極真空弧光放電活動中的正離子電流與場電子間的相互影響與制約實現電量遷移。實現高結合力、高硬度、耐磨損、耐腐蝕膜層的沉積。

1、 由9個多弧離子鍍膜源+2個陽極層離子束清洗源+2個磁控濺射弧源融合成鍍膜工藝系統；

2、 每個磁控濺射弧源的靶材可以根據需求應用不同的靶材材質；

3、 腔室採用優質SUS304不鏽鋼機身，隱藏式雙層冷卻水冷設計；

4、 合理配備多套新研製的離子弧源，有效保障弧源濺射的穩定性與均勻性；

5、 採用多路進氣系統，精準控制氣體流量，滿足多種化合物膜層需求。

1、 緻密、粘附性好；重複性高、均勻性好；

2、 高穩定性；高功率；維護方便；有效水冷設計，靶材可以連續24小時工作；

3、 腔體介面通用尺寸，互換性強，優化升級方便；

4、 磁控濺射源與陰極弧源都採用磁場設計和布氣方式，提高了有效鍍膜空間和膜層均勻性；

5、 實時記錄歷史資料和分析資料曲線，對品質管理管控和工藝開發有明顯幫助；

6、 全自動控制，一鍵式操作，友好的人機界面，實時記錄工藝資料，利於質量管控、疑難分析、開發新工藝等；

7、 模組化工藝配方，靈活設定各級配方，一鍵式操作即可完成多層工藝配方。