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“功率MOS系列 2060K”參數說明
是否有現貨: | 是 | 認證: | 3c |
品牌: | Flh | 類型: | 耗盡型MOS管(N溝道) |
材料: | N-FET矽N溝道 | 封裝外形: | CHIP/小型片狀 |
用途: | L/功率放大 | 導電方式: | 耗盡型 |
型號: | 2060k | 規格: | To-252 |
商標: | RoHS,CE認證 | 產量: | 800000 |
“功率MOS系列 2060K”詳細介紹
標註的Id電流是MOS晶片的**常態電流,實際使用時的**常態電流還要受封裝的**電流限制。因此客戶設計產品時的**使用電流設定要考慮封裝的**電流限制。建議客戶設計產品時的**使用電流設定更重要的是要考慮MOS的內阻參數。
2. 建議在MOS的柵源(G/S)極之間並一個電阻(10K)和一個穩壓二極體(5V-12V)起到保護柵源(G/S)極過壓的作用。
3.建議MOS管的開啓電壓儘量提高,這樣MOS管才能 纔能充分開啓導通,這個時候內阻**,不容易發燙。一般建議低壓MOS的VGS開啓電壓設定爲4.5V以上,中高壓MOS的開啓電壓設定爲10V以上.
電路操作注意事項:
靜電在很多地方都會產生,採取下面 下麪的預防措施,可以有效防止MOS 電路由於受靜電放電影響而引起的損壞:
? 操作人員要通過防靜電腕帶接地。
? 設備外殼必須接地。
? 裝配過程中使用的工具必須接地。
? 必須採用導體包裝或抗靜電材料包裝或運輸
產品應用:
電源
2.電源(開關電源、UPS電源、通信電等)
3.充電器
4.適配器
5.電源板
6.小家電、家電電源板
7.***控制板
8.電動工具
9.電腦主板、顯示卡