●該設備用於納米級單層或多層膜、類金剛石薄膜、金屬膜、導電膜、半導體膜和非導電膜等功能薄膜的製備，可實現共濺射，直流、射頻相容，特別適於科研院所和企業進行功能薄膜研發、教學和新產品開發，同時可在微米級粉末或顆粒上沉積薄膜進而達到表面改性的功能。是替代鐘罩式磁控濺射的理想選擇。

●主體結構：全封閉框架結構，機櫃和主機爲一體式機構。

●極限真空度：≤６.６３×10－5Pa，壓升率優於國家標準。   

●真空配置：高速直聯旋片泵一臺，配置尾氣處理裝置，超高分子泵一臺。

●真空測量：兩路電阻規，一路電離規；電阻規和電離規均採用防爆型金屬封結真空規。

●工件架系統：行星工件盤與公轉工件盤可選，垂直濺射與共濺射相容，可配置１個加熱臺，採用PID控制可烘烤加熱到700℃。

●磁控濺射系統：配置３個Φ50mm可摺疊磁控靶（可擴展至4靶機構），向上濺射成膜；靶基距可調；靶內均通入冷卻水冷卻。

●電源：2套直流電源；1套全固態射頻電源；一套200W直流偏壓電源。

●充氣系統：配置三路供氣，二路分別配置質量流量控制器，線性±0.5 % F.S，重複精度±0.2% F.S，0-5V輸出，在觸摸屏上設置流量。

●電氣控制系統：採用功能化模組設計，匹配西門子人機界面+西門子控制單元，濺射時間可以設定並倒計時，能夠根據工藝需求自動濺射。

●特別說明：根據用戶不同的工況和工藝要求，公司願與客戶聯合研發，公司致力於工藝與設備的匹配，該設備爲公司與電子科技大 合研發。