真空室中1550 X 1800mm(H)

工件架φ1400mm工件架轉速10rpm to 30rpm (可變)

光學膜厚控制HOM2- R-VIS350A

波長範圍:350nm to 1100nm 光學膜厚監控儀反射式/透射式

水晶式膜厚計XTC/3+6點式水晶感測器

蒸發源電子 2套

離子源17cmRF 離子源

機械泵:排氣系統2個擴散泵Polycold(或2 個冷凝泵)

1. 2. 性能:達到壓力7.0X10-5Pa以下排氣時間20分 (大氣壓,1.3X10- 3Pa)基板溫度 :350
2. 3. 設備尺寸:約5500mn(W) X 7200mm()X3700mm(H) 3相, 200v, 50/60Hz,
3. 4. 電源約120KVA 水流量180 升/分以上 空氣壓力0. 5MPa以上
4. 5. 重量約11000kg

2. 性能:達到壓力7.0X10-5Pa以下排氣時間20分 (大氣壓,1.3X10- 3Pa)基板溫度 :350

1.產品參數:

真空室中1550 X 1800mm(H)

工件架φ1400mm工件架轉速10rpm to 30rpm (可變)

3. 設備尺寸:約5500mn(W) X 7200mm()X3700mm(H) 3相, 200v, 50/60Hz,

1、中空負極等離子噴塗基本原理
在底端真空泵爲高真空的情形下，氬氣瓶(1-10-2)從負極引進，在負極與輔助陽極中間提升引弧工作電壓，使氬氣瓶發亮充放電，在中空負極造成低電壓等離子充放電，負極溫度上升到2300-2400K從冷陰極充放電到熱陰極放電，逐漸熱電子發送，充放電到平衡狀態。進到反映汽體，可做成結合膜。
二、測控技術磁控濺射原理
將真空系統預抽至10-3Pa，隨後進到汽體(比如氬氣瓶)，標準氣壓爲1-10Pa在這個過程中，向總體目標加上負電壓以造成電弧放電。當電子器件在電磁場的積極意義下加快奔向矽片時，它和氬分子相撞，並水解Ar和另一個電子器件；躍遷總體目標原材料，越來越多二次電子電離，持續躍遷總體目標原材料；電磁場根據磁場更改電子的運動方位，限制和增加電子的運動運動軌跡，進而提升價電子工作中氣體水解機率。
三、多弧離子鍍工作原理
其原理是冷陰極配建電弧光放電，其物理基礎是當場發送。當電鍍材料傳送到負極，真空系統傳送到陽極氧化，真空系統提取到高真空時，開啓電級驅動器並開啓觸碰。這時，陰極和陽極中間產生相對穩定的電弧放電，負極表層充斥着迅速擺動的負極點，一些正離子對陰極點躍遷使之變成點蒸發源，多弧離子鍍層以好幾個電孤蒸發源爲基礎。
四、電阻器蒸發鍍膜機
薄膜材料被放置於揮發船中，放置於真空系統中。當獲取到一定的真空泵時，薄膜材料根據電阻器開展加溫，使之揮發。當揮發分子的均值可玩性超過蒸發源到底材的線形規格時，原子和分子從蒸發源中逸出，抵達底材產生膜。爲了能讓薄膜厚度勻稱，可以用電機驅動器底材轉動，並用薄膜厚度計操縱薄膜厚度，設計出高質量塑料薄膜。
五，E原理
負極鎢絲加熱發送0.3EV在鎢絲陰極和陽極間的靜電場影響下，原始機械能的熱電子加快並匯聚成束。在磁鐵線圈的磁場中，離子束沿ExB電子能量根據負極偏移到10KV，根據陽極氧化電子器件偏移270夾角陽極氧化電子器件偏移270夾角，躍遷膜材使之揮發。
六，PVD鍍晶原理
將電鍍工藝零件放到低電壓光充放電的負極上，引進適度氣體，在一定條件下，根據化學變化與直流濺射結合的全過程，在工件表面得到鍍層。

產品結構

真空室中1550 X 1800mm(H)

工件架φ1400mm工件架轉速10rpm to 30rpm (可變)

光學膜厚控制HOM2- R-VIS350A

波長範圍:350nm to 1100nm 光學膜厚監控儀反射式/透射式

水晶式膜厚計XTC/3+6點式水晶感測器

蒸發源電子 2套

離子源17cmRF 離子源

機械泵:排氣系統2個擴散泵Polycold(或2 個冷凝泵)

1. 2. 性能:達到壓力7.0X10-5Pa以下排氣時間20分 (大氣壓,1.3X10- 3Pa)基板溫度 :350
2. 3. 設備尺寸:約5500mn(W) X 7200mm()X3700mm(H) 3相, 200v, 50/60Hz,
3. 4. 電源約120KVA 水流量180 升/分以上 空氣壓力0. 5MPa以上
4. 5. 重量約11000kg

 

產品數量有限，先到先得，不包運輸，自提，售後