D級碳化矽SiC晶錠廠家用於測試 射冷切割設備
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“D級碳化矽SiC晶錠廠家用於測試 射冷切割設備”參數說明
是否有現貨: | 否 | 加工定製: | 是 |
種類: | 化合物半導體 | 用途: | 設備測試 |
型號: | 6英寸 | 規格: | 150mm |
商標: | Hmt | 包裝: | 晶錠圓盒 |
“D級碳化矽SiC晶錠廠家用於測試 射冷切割設備”詳細介紹
D級碳化矽SiC晶錠廠家用於測試 射冷切割設備
恆邁瑞公司生長供應4英寸至6英寸測試D級碳化矽晶錠用於新型 射冷切割設備測試驗證用。採用PVT法生長碳化矽晶錠,單晶生長對溫度和壓力的要求苛刻,一般而言,碳化矽氣相生長溫度在2000℃~2500℃之間,而傳統矽材僅需1600℃左右,單根晶錠厚度約爲20mm左右,已雙面磨平。
目前碳化矽晶圓的製造過程分爲:切割——研磨——拋光——清洗,在每個加工階段,都對表面損傷度和粗糙度有一定的要求,其中切割作爲加工碳化矽單晶片的首要工序,其加工質量是會對後續研磨、拋光的加工水準產生影響,進而影響晶片的性能。在當前工業生產中,碳化矽晶錠一般多線切割的方法,隨着技術的不斷進步,水導 射切割、隱形切割等新型切割技術也相繼顯露鋒芒。
冷切割(Cold Split)晶圓技術,就是採用了超快 射器(皮秒、飛秒的低熱損傷)技術,不僅能將晶錠分割成晶圓,而且每片晶圓損失低至80μm( 終形成的切割道縫隙),使材料損失也大大減少, 終使得功率器件的總生產成本降低下來,這個技術就是典型的使用了超快 射(皮秒、飛秒)的技術路徑。
冷切割技術分爲兩個步驟:先用聚焦後的 射照射晶錠形成剝落層,使碳化矽(SiC)材料內部體積瞬間發生分子的破裂膨脹,從而產生一定方向的拉伸應力而產生非常窄的微裂紋(沿着一定的晶向方向);然後快速冷卻方法將微裂紋處理爲一個主裂紋, 終將晶圓與剩餘的晶錠分開,此種工藝方法早在2017年國內已經應用與藍寶石的 射切割或者近幾年比較的剝離切割行業,用的切割頭就是採用了皮秒 射器的特性。
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