2寸藍寶石氮化鎵厚膜晶片N型非摻雜Undoped

恆邁瑞公司目前自支撐氮化鎵襯底片有2英寸4英寸和方形10*10.5mm2氮化鎵GaN襯底片材料，實現了氮化鎵單晶材料生長的n型摻雜、補償摻雜，研製出高電導率的和半絕緣的氮化鎵單晶。氮化鎵GaN-On-Sapphire有2英寸和4英寸，襯底結構爲GaN on Sapphire。氮化鎵外延層厚度4.5um和20um。

氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，屬於極穩定的化合物，自1990年起常用在發光二極管中。它的堅硬性好，還是高熔點材料，熔點約爲1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。