4英寸碳化矽切割晶片廠家 600um 900um
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“4英寸碳化矽切割晶片廠家 600um 900um”參數說明
| 是否有現貨: | 否 | 加工定製: | 是 |
| 種類: | 化合物半導體 | 型號: | 4英寸 |
| 規格: | 4英寸 | 包裝: | 晶圓盒 |
“4英寸碳化矽切割晶片廠家 600um 900um”詳細介紹
作爲專業的碳化矽材料供應商,恆邁瑞持續爲市場提供包括4英寸在內的多規格碳化矽切割片。我們生產的As-cut碳化矽切割片可根據客戶工藝需求定製不同厚度,例如600μm、900μm及1200μm等常見規格,以適配各類測試、研發與中試環節對材料厚度的差異化要求。
除4英寸產品外,恆邁瑞也具備供應2英寸、6英寸及8英寸碳化矽切割片的能力,致力於爲不同發展階段和應用場景的客戶提供靈活、適配的碳化矽材料解決方案。
依託成熟的生產工藝與質量管控體系,我們力求在切割表面質量、厚度均勻性與批次穩定性等方面爲客戶提供可靠保障。如您有相關產品需求或技術疑問,歡迎隨時聯繫我們,我們將竭誠爲您提供支持。
碳化矽材料應用
1) 碳化矽功率二極體:SiC SBD(肖特基二極體)可替換FRD(快恢復二極體)。碳化矽功率二極體可顯著降低開通損耗,在開關頻率較高的應用中具有明顯優勢,目前成熟度高的是SiC SBD。用SiC SBD替換現在主流產品FRD,可減少恢復損耗,有利於電源的高效率化,終端應用有空調、電源、光伏發電系統的功率調節器、電動汽車的快速充電器等;
2)碳化矽MOSFET:未來有望替代矽基IGBT。用SiC MOSFET替代IGBT,能有效減少開關損耗,實現散熱部件的小型化。另外,碳化矽MOSFET能夠在高頻條件下驅動,滿足嚴苛應用場景需求。碳化矽MOSFET主要應用於工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中;
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