擴散爐是積體電路生產線前工序的重要工藝設備之一，它的主要用途是對半導體進行摻雜，即在高溫條件下將摻雜材料擴散入矽片，從而改變和控制半導體內雜質的類型、濃度和分佈，以便建立起不同的電特性區域。雖然某些工藝可以使用離子注入的方法進行摻雜，但是熱擴散仍是 主要、 普遍的摻雜方法。矽的熱氧化作用是使矽片表面在高溫下與氧化劑發生反應，生長一層二氧化矽膜。氧化方法有幹氧氧化和水汽氧化（含 氧合成）兩種，擴散爐是用這兩種氧化方法製備氧化層的必備設備。擴散爐是半導體積體電路工藝的基礎設備，它與半導體工藝互相依存、互相促進、共同發展。

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擴散爐是積體電路生產線前工序的重要工藝設備之一，它的主要用途是對半導體進行摻雜，即在高溫條件下將摻雜材料擴散入矽片，從而改變和控制半導體內雜質的類型、濃度和分佈，以便建立起不同的電特性區域。雖然某些工藝可以使用離子注入的方法進行摻雜，但是熱擴散仍是 主要、 普遍的摻雜方法。矽的熱氧化作用是使矽片表面在高溫下與氧化劑發生反應，生長一層二氧化矽膜。氧化方法有幹氧氧化和水汽氧化（含 氧合成）兩種，擴散爐是用這兩種氧化方法製備氧化層的必備設備。擴散爐是半導體積體電路工藝的基礎設備，它與半導體工藝互相依存、互相促進、共同發展。

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