MCR型SVC高壓動態補償裝置
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產品詳情
“MCR型SVC高壓動態補償裝置”參數說明
| 補償範圍： | 線路補償 | 補償性質： | 容性補償 |
| 補償方式： | 並聯補償 | 型號： | MCR型SVC |
| 產量： | 10000 |
“MCR型SVC高壓動態補償裝置”詳細介紹
MCR型SVC高壓動態補償裝置基本介紹
裝置簡介：
我公司生產的KR-MSVC磁控式動態無功補償裝置是一種基於極限磁飽的原理和磁閥技術。通過改變控制繞組中直流電流大小來改變鐵芯的磁飽和度，進而改變等效磁導率以實現連續可調節系統無功功率、抑制工頻過電壓、提高系統穩定性的無功調節裝置。主要解決用於長距離重載線路限制過電壓和無功補償的矛盾，在 上保持系統電壓的穩定性，減少系統網損，提高電網輸送能力。該裝置與電容器組合可以提供正負連續可調的無功功率，可以 精確的控制系統電壓和無功功率，減少了由於電容器分組投切帶來的衝擊和涌流，可以大大的提高設備的使用壽命。可直掛高壓、 壓電網，是現有無功補償裝置升級換代產品。勵磁系統採用光觸發方式，主迴路與控制迴路隔離性能好，具有較強的抗干擾能力。數位系統採用全數位控制系統，響應時間快，可靠性高。
技術特點
1.容量連續可調；磁控電抗器容量調節範圍可在容量的1-100﹪範圍內任意快速、連續可調；
2.響應速度快：創新的快速磁反轉技術是新一代高壓磁控電抗器的響應速度大幅度提高：空載到額定容量，或額定到空載容量過渡過程時間爲20ms-60ms；
產生諧波低：獨創的優化多級磁閥飽和技術，使磁控電抗器整個容量調節範圍的總諧波含量不超過電抗器額定電流的2.3﹪；
3.噪聲低：磁控管電抗器各項性能指標與普通電力電壓器指標基本相當。
損耗小：獨特的磁閥結構和先進的製造工藝，使電抗器額定輸出容量下的有功損耗在0.5﹪（大容量）-1.2﹪（小容量）之間，平均損耗爲0.3﹪（大容量）-0.7﹪（小容量）之間；
4.佔地面積小：磁控電抗器尺寸與安裝方式與同容量電力變壓器基本相同，控制晶閘管箱客戶外安裝，體積小，自然風冷卻；
5.免維護：油浸或環氧澆注乾式磁控電抗器的維護與普通電力變壓器相同，適合無人值守變壓站需要。晶閘管箱產生熱量小，自然風冷卻，可靠性高，免維護。
我公司生產的KR-MSVC磁控式動態無功補償裝置是一種基於極限磁飽的原理和磁閥技術。通過改變控制繞組中直流電流大小來改變鐵芯的磁飽和度，進而改變等效磁導率以實現連續可調節系統無功功率、抑制工頻過電壓、提高系統穩定性的無功調節裝置。主要解決用於長距離重載線路限制過電壓和無功補償的矛盾，在 上保持系統電壓的穩定性，減少系統網損，提高電網輸送能力。該裝置與電容器組合可以提供正負連續可調的無功功率，可以 精確的控制系統電壓和無功功率，減少了由於電容器分組投切帶來的衝擊和涌流，可以大大的提高設備的使用壽命。可直掛高壓、 壓電網，是現有無功補償裝置升級換代產品。勵磁系統採用光觸發方式，主迴路與控制迴路隔離性能好，具有較強的抗干擾能力。數位系統採用全數位控制系統，響應時間快，可靠性高。
技術特點
1.容量連續可調；磁控電抗器容量調節範圍可在容量的1-100﹪範圍內任意快速、連續可調；
2.響應速度快：創新的快速磁反轉技術是新一代高壓磁控電抗器的響應速度大幅度提高：空載到額定容量，或額定到空載容量過渡過程時間爲20ms-60ms；
產生諧波低：獨創的優化多級磁閥飽和技術，使磁控電抗器整個容量調節範圍的總諧波含量不超過電抗器額定電流的2.3﹪；
3.噪聲低：磁控管電抗器各項性能指標與普通電力電壓器指標基本相當。
損耗小：獨特的磁閥結構和先進的製造工藝，使電抗器額定輸出容量下的有功損耗在0.5﹪（大容量）-1.2﹪（小容量）之間，平均損耗爲0.3﹪（大容量）-0.7﹪（小容量）之間；
4.佔地面積小：磁控電抗器尺寸與安裝方式與同容量電力變壓器基本相同，控制晶閘管箱客戶外安裝，體積小，自然風冷卻；
5.免維護：油浸或環氧澆注乾式磁控電抗器的維護與普通電力變壓器相同，適合無人值守變壓站需要。晶閘管箱產生熱量小，自然風冷卻，可靠性高，免維護。
MCR型SVC高壓動態補償裝置性能特點
MCR型SVC高壓動態補償裝置技術參數
MCR型SVC高壓動態補償裝置使用說明
MCR型SVC高壓動態補償裝置採購須知
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