類別    分立半導體產品    
電晶體 - UGBT，MOSFET - 單    
製造商    ON Semiconductor    
包裝 管件    
零件狀態    在售    
IGBT 類型    NPT 和溝道    
電壓 - 集射極擊穿（最大值）    1200V    
電流 - 集電極（Ic）（最大值）    50A    
脈衝電流 - 集電極 (Icm)    90A    
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on）    2.65V @ 15V，50A    
功率 - 最大值    312W    
開關能量    4.1mJ（開），960µJ（關）    
輸入類型    標準    
柵極電荷    200nC    
25°C 時 Td（開/關）值    50ns/190ns    
測試條件    600V，25A，10 歐姆，15V    
反向恢復時間（trr）    350ns    
工作溫度    -55°C ~ 150°C（TJ）    
安裝類型    通孔    
封裝/外殼    TO-3P-3，SC-65-3    
供應商器件封裝    TO-3P