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LDI鐳射直寫曝光油墨 LDI光刻膠 曝光效率快
LDI鐳射直寫曝光油墨 LDI光刻膠  曝光效率快

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訂貨量(加侖) 價格(元/加侖)
1-9 1011.00
10 101.50
供貨總量: 10000加侖
產地: 廣東省/深圳市
發貨期: 自買家付款之日起3天內發貨
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產品詳情

“LDI鐳射直寫曝光油墨 LDI光刻膠 曝光效率快”參數說明

是否有現貨: 認證: www.guangkejiao.com
加工定製: 種類: 元素半導體
特性: 量子點光刻膠 用途: BCC凸點晶片封裝光刻膠
型號: 鐳射直寫光刻膠 規格: MEMS感測器光刻膠
商標: SIP封裝光刻膠 包裝: COG封裝光刻膠
產量: 2018

“LDI鐳射直寫曝光油墨 LDI光刻膠 曝光效率快”詳細介紹

鐳射直接成像(LDI)的主要優缺點
   由於LDI技術是一組的鐳射束直接在抗蝕劑上成像的,接着就進行顯影和蝕刻而成的。因此,它具有一系列的優點。 
     (1)位置度極高。在加工件(在制板)固定後,接着採用鐳射定位並進行垂直鐳射束掃描,可保證圖形位置度(偏差)在±5 μm之內,極大地提高了線路圖形的位置度,這是傳統(照像底片)的圖形轉移方法無法達到的,對於製造高密度化(特別是L/S≤50 μmmφ≤100 μm情況)PCB來說(特別是製造“甚高密度”化多層板的層間對位度等),在保證產品質量和提高產品合格率上無疑是重要的。
    附帶說明:2005年以前,雖然LDI技術已經應用到高密度的多層板的製造上,但只能在專用的特製(種)幹膜上完成圖形轉移,成本很高且使用和管理嚴格複雜,因而沒有得到推廣和應用。現在由於鐳射(UV光)性能與功率的改進,已經可在傳統(常規)的幹膜上進行曝光來完成圖形轉移,加上PCB又進入“甚高密度”化(係指L/S≤50 μmmφ≤100 μm情況)的多層板的時代,相信LDI技術會快速地推廣和使用起來!
     (2)加工過程減少,週期短。採用LDI技術,不僅可提高“甚高密度”化多層板的質量和生產合格率,而且明顯地縮短產品加工過程。如在製造圖形轉移(形成內層導線)時,在形成抗蝕劑的層片(在制板)上,僅需要四個步驟(CAD/CAM資料轉移、鐳射掃描、顯影和蝕刻),而傳統的照像底片方法,至少要八個步驟。很顯然,加工過程至少減少一半!
    (3)節省製造成本。採用LDI技術不僅可避免了採用鐳射光繪機、照像底片自動顯影/定影機、重氮片顯影機、衝定位孔機、尺寸與缺陷測量/檢查儀和大量照像底片儲存與維護的裝置與設施,而且更重要的是避免了採用大量的照像底片、重氮片、嚴格的溫溼度控制所消耗的材料、能源和所相關的管理與維護的人員等,成本就明顯下降了。
   當然,LDI也可應用於阻焊劑形成阻焊圖形,但由於阻焊層厚度較厚、面積大,LDI掃描時間長,完成的能源多、週期長,除非有嚴格控制阻焊圖形與焊接盤間的精細間隙的要求(如≤30 μm)而不得不採用它,一般情況下,是不採用LDI技術來形成阻焊圖形的,目前已經走向採用正在出現應用的噴印技術。
     採用LDI技術的主要缺點是生產率較低,不適合於量產化/規模化產品生產。但隨着UV鐳射源的大功率(如≥8 W)和多光束鐳射的採用,這個問題已經得到了較好的解決。
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供應 微波晶片光刻膠 Micro led光刻膠 成份穩定

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成份穩定 Metal mech 銅製程工藝光刻膠 附着性好

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深圳市啓耀光電有限公司是一家服務於半導體和光電子行業的產品貿易及技術服務提供商。公司創立於2014年 已成爲國內半導體、光電子行業、相關研究所和大學可以信賴的合作伙伴;公司秉持以忠誠態度對待新舊客戶 客戶滿意爲導向 提供優質高效率的專業服務 導入以代理原廠產品爲中心共用通路平臺 提供產品行銷及技術支援解決方案。我們期望成爲一家經營高科技設備 相關設備配件 材料及技術整合服務的專業供應商。力求服務與營運的創新 公司與客戶間**利益關係 以維持企業永續的競爭優勢。

主要產品範圍

  1. 液晶面板(TFT)正型光刻膠
  2. 觸摸屏(Touch Panl)正型光刻膠 超黑矩陣(BM)黑膠 OC光刻膠 卷對卷(Roll to Roll)工藝光刻膠 柔性性路板光刻膠 FPC工藝用正膠
  3. 倒裝(Bumping)工藝光刻膠:適用於電鍍銅(ECP)工藝 凸點下金屬(UBM)工藝;重佈線層(RDL)工藝;影像感測器封裝(Copper/Au Piller bump)工藝光刻膠
  4. LED行業:臺階刻蝕(MESA)工藝正膠 蒸鍍(Lift-off)工藝負膠 透明電極(TCL)工藝正膠 電流阻擋層(BCL)工藝正膠 鈍化層(PV)工藝正膠 高壓芯晶片(HV)工藝正膠。
  5. 手機蓋板行業:3D噴塗曝光型光阻油墨(黑白色) 噴塗曝光紋理光阻油墨 噴塗曝光抗氫氟酸光阻油墨 水性防爆膠 噴塗防爆膜 變色光阻油墨;
  6. 銅製程工藝:銅製程表面處理劑 銅腐蝕液 不傷金屬(Ni,Al,Au,Ag等)去膠液
  7. 其他配套試劑:高純低雜質顯影液 不傷金屬(Ni,Al,Au,Ag等)去膠液, 不傷金屬(Ni,Al,Au,Ag等)去臘液 洗邊劑(EBR) 不傷鋁二氧化矽腐蝕液(BOE) 光刻膠稀釋劑 氧化銦錫(ITO)腐蝕液 SiO2拋光液 鑽石拋光液 SiO2拋光清洗劑(不傷鋁);
  8. 其他配件:MOCVD外延設備配件(石英配件 鎢鉬配件 加熱器 周邊設備配套);刻蝕機和蒸發臺等設備配件;
  9. 生產製程輔助工具和材料:Tray盤 花籃  針等