場效應管MT11G035B
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產品詳情
“場效應管MT11G035B”參數說明
是否有現貨: | 是 | 封裝: | SMD |
功能結構: | 模擬積體電路 | 製作工藝: | 半導體積體電路 |
導電類型: | 雙極型 | 外形: | To-263-2L |
集成度高低: | 中規模積體電路 | 應用領域: | 專用 |
型號: | Mt11g035b | 規格: | SMD |
包裝: | SMD | 3*3mm: | 8寸 |
“場效應管MT11G035B”詳細介紹
MT11G035B場效應管。100V m =10V產品概述VDS I D R DS(ON) @VGS GS SGT MOSFET技術經過優化,可提供高頻開關性能。由於RDS(ON)和Qg的組合極低,導通和開關功率損耗都最小化。該器件是高頻開關和同步整流的理想器件.
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