(SiO )，即二氧化矽靶材

一、Silicon Dioxide (SiO )，即二氧化矽，作爲一種高性能的磁控濺射靶材材料，在現代科技領域中扮演着至關重要的角色。其獨特的物理和化學性質，如高純度、高密度、高熔點以及穩定的化學成份，使其成爲衆多高科技應用中的優選材料。以下是對二氧化矽靶材的詳細解析，包括其特性以及在行業中的應用優勢。我司專注研發與生產，鑄就行業精品。公司生產氧化物靶材如下：

OXIDES 氧化物
Aluminum Oxide (Al2O3)	Magnesium Oxide (MgO)
Antimony Oxide (Sb2O3)	Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3)
Barium Titanate (BaTiO3)	Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3)
Bismuth Oxide (Bi2O3)	Molybdenum Oxide (MoO3)
Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11)	Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4)
Cerium Oxide (CeO2)	Nickel-Cobalt Oxide（NiCoO2）
Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4)	Niobium Pentoxide (Nb2O5)
Chromium Oxide (Cr2O3)	Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3
Chromium Oxide (Eu doped)	Rare Earth Oxides (La2O3)
Gallium Oxide (Ga2O3)	Silicon Dioxide (SiO2)
Germanium Oxide (GeO3)	Silicon Monoxide (SiO)
Hafnium Oxide (HfO2)	Tantalum Pentoxide (Ta2O5)
Indium Oxide (In2O3)	Tin Oxide (SnO2)
Indium-Tin Oxide (ITO)	Titanium Dioxide (TiO2)
Iron Oxide (Fe2O3)	Tungsten Oxide (WO3)
Lanthanum Oxide(La2O3)	Yttrium Oxide (Y2O3)
Lead Titanate(PbTiO3)	Yttrium-Aluminum Oxide (Y3Al5O12)
Lead Zirconate (ZrPbO3)	Zinc Oxide (ZnO)
Lithium Niobate (LiNbO3)	Zinc Oxide/Aluminum Oxide (Al2O3)
Lithium-Cobalt Oxide (CoLiO2)	Zirconium Oxide (ZrO2)
Lutetium-Iron Oxide (garnet) (Fe2LuO4)

二氧化矽靶材的特性

純度：
二氧化矽靶材的純度是其性能優劣的關鍵。高純度的二氧化矽靶材能顯著減少雜質對濺射薄膜的影響，提高薄膜的純淨度和穩定性。在製備過程中，通常採用提純技術，如化學氣相沉積（CVD）或高純度石英砂熔鍊法，以確保靶材中的二氧化矽含量達到高水準，同時嚴格控制其他雜質的含量。高純度的二氧化矽靶材對於製備高質量、高性能的薄膜至關重要。

密度：
二氧化矽靶材的密度與其微觀結構和濺射性能密切相關。合理的密度有助於提高濺射效率，使濺射出的粒子均勻且緻密地沉積在基板上。通過優化製備工藝，可以精確控制二氧化矽靶材的密度，以滿足不同應用場景的需求。高密度的二氧化矽靶材能夠製備出具有優異性能的薄膜，如高硬度、高耐磨性和高化學穩定性。

熔點：
二氧化矽的熔點高達1600-1700℃（具體熔點取決於晶型和純度），這一特性使其在高溫濺射過程中表現出色。高熔點的二氧化矽靶材能夠在高溫下保持穩定的濺射性能，不易熔化或變形，從而確保濺射過程的連續性和穩定性。這一特性使得二氧化矽靶材在製備高溫穩定性要求較高的薄膜時具有顯著優勢。

化學成份：
二氧化矽靶材的主要化學成份是矽（Si）和氧（O），其化學式爲SiO 。這種穩定的化合物結構使得二氧化矽靶材具有優異的化學穩定性和化學惰性。它對大多數化學物質具有良好的耐受性，能夠在惡劣的環境下保持穩定，這對於提高薄膜的可靠性和壽命至關重要。

二氧化矽靶材在行業中的應用優勢

微電子領域：
在微電子領域，二氧化矽靶材被廣泛應用於製備電子和光電子設備的絕緣層。其高電絕緣性、高化學穩定性和高透明度使得二氧化矽成爲製備高質量絕緣層的理想材料。此外，二氧化矽薄膜還可以作爲抗反射層，減少光的反射損失，提高光的透過率或光電轉換效率。

光學領域：
在光學領域，二氧化矽靶材因其優異的光學透明性和穩定性而被廣泛用作光學元件的抗反射層和保護層。在光纖通訊和集成光學電路中，二氧化矽薄膜作爲光波導材料，用於傳輸和處理光信號。其高透明度和低損耗特性使得二氧化矽成爲高速光通信系統中的關鍵材料。

表面工程：
在表面工程領域，二氧化矽靶材被用於製備防腐蝕和防護塗層。通過在金屬表面沉積一層二氧化矽薄膜，可以有效防止腐蝕和磨損，延長材料的使用壽命。此外，二氧化矽薄膜還可以作爲表面鈍化層，減少表面載流子的複合，提高太陽能電池等設備的效率。

文化遺產保護：
在文化遺產保護領域，二氧化矽靶材也被用於保護易受環境影響的物質表面。通過在其表面沉積一層二氧化矽薄膜，可以隔絕空氣中的氧氣和水分，減緩 的腐蝕和老化過程。

綜上所述，二氧化矽靶材以其獨特的物理和化學性質以及廣泛的應用優勢，在現代科技領域中發揮着不可或缺的作用。隨着科技的不斷發展，二氧化矽靶材的性能將進一步提升，其應用領域也將不斷拓展。

 

Silicon (Si)，矽靶材是真空鍍膜行業中高純度濺射靶材

 

一、Silicon (Si)，即矽，作爲現代科技領域不可或缺的基礎材料之一，矽靶材以其物理和化學特性，在半導體製造、光學器件、太陽能電池等多個高科技行業中發揮着至關重要的作用。矽靶材的高純度、高密度以及顯著的熔點特性，爲其在這些領域的應用提供了堅實的基礎和優勢。我司專注研發與生產，鑄就行業精品。公司生產單材質靶材、電子束蒸發顆粒材料如下：

SINGLE ELEMENTS 單材質靶材、電子束蒸發顆粒
Aluminum (Al)	Nickel (Ni)
Antimony (Sb)	Niobium (Nb)
Arsenic (As)	Osmium (Os)
Barium (Ba)	Palladium (Pd)
Beryllium (Be)	Platinum (Pt)
Boron (B)	Rhenium (Re)
Cadmium (Cd)	Rhodium (Rh)
Carbon (C)	Rubidium (Rb)
Chromium (Cr)	Ruthenium (Ru)
Cobalt (Co)	Selenium (Se)
Copper (Cu)	Silicon (Si)
Gallium (Ga)	Silver (Ag)
Germanium (Ge)	Tantalum (Ta)
Gold (Au)	Tellurium (Te)
Hafnium (Hf)	Tin (Sn)
Indium (In)	Titanium (Ti)
Iridium (Ir)	Tungsten (W)
Iron (Fe)	Vanadium (V)
Lead (Pb)	Yttrium (Y)
Magnesium (Mg)	Zinc (Zn)
Manganese (Mn)	Zirconium (Zr)
Molybdenum (Mo)

 

二、材料特性：

首先，矽靶材的高純度是其顯著的特點之一。在高科技領域，尤其是半導體製造中，對材料的純度要求高。矽靶材通常要求純度達到99.999%（即5N）甚至 ，以確保在製造過程中不會引入雜質，影響 終產品的性能和穩定性。高純度的矽靶材能夠有效減少半導體器件中的缺陷和雜質，提高器件的導電性、熱導性和機械強度，從而保證半導體器件的高性能和可靠性。此外，高純度的矽靶材還能減少在薄膜沉積過程中的污染，提高薄膜的質量和一致性，爲後續的加工和應用提供良好的基礎。

其次，矽靶材的高密度也是其重要的物理特性之一。矽的密度約爲2.33g/cm3，這一特性使得矽靶材在濺射鍍膜過程中能夠提供穩定的濺射速率和均勻的薄膜厚度。高密度意味着矽靶材具有好的結構穩定性和抗磨損性，能夠在濺射過程中承受高能離子的轟擊，減少靶材的剝落和磨損，從而延長靶材的使用壽命。這對於需要長時間穩定運行的濺射設備尤爲重要，因爲頻繁的靶材 換不僅會影響生產效率，還會增加生產成本。

矽的熔點約爲1414°C，這一相對較高的熔點特性使得矽靶材在高溫環境下仍能保持其物理和化學性質的穩定性。在濺射鍍膜過程中，靶材會吸收大量的能量並轉化爲熱量，而矽靶材良好的熱傳導性能可以有效地將這些熱量傳遞出去，防止靶材過熱。高溫穩定性還意味着矽靶材在濺射過程中不會因爲高溫而產生不必要的化學反應，從而保證了薄膜的純度和性能。這一特性使得矽靶材在需要高溫處理的工藝中，如反應磁控濺射中沉積SiO2和SiN等介電層，具有顯著的優勢。

二、行業應用：

在行業中，矽靶材的應用優勢主要體現在以下幾個方面。首先，在半導體製造領域，矽靶材因其高純度和良好的電導性能而被廣泛應用於製作高質量的導電層和絕緣層。這些導電層和絕緣層在晶片內部起着連接和隔離的重要作用，其質量和穩定性直接關係到晶片的性能和可靠性。此外，矽靶材還被用於製備單晶矽、矽片和矽膜，具有生產效率和穩定性，能夠保證產品的高品質。

其次，在光學器件製造領域，矽靶材因其高純度和良好的光學性能而被廣泛應用於製造各種高品質的光學器件，如反射鏡、透鏡、濾光片等。矽靶材的高純度能夠保證光學器件的清晰、穩定和精度，提高光學器件的性能和可靠性。

此外，矽靶材還被廣泛應用於太陽能電池製造、LED製造、感測器製造等多個領域。在太陽能電池製造中，矽靶材用於製備太陽能電池的導電層和反射層，提高太陽能電池的轉換效率和穩定性。在LED製造中，矽靶材用於製備LED的襯底和封裝材料，提高LED的發光效率和穩定性。在感測器製造中，矽靶材用於製備感測器的敏感元件和信號處理電路，提高感測器的靈敏度和準確性。

綜上所述，矽靶材以其高純度、高密度以及顯著的熔點特性，在半導體製造、光學器件製造、太陽能電池製造等多個高科技領域中展現出應用優勢。隨着科技的進步和市場的需求變化，矽靶材的製備技術和應用領域也將不斷拓展和完善，爲高科技產品的開發和生產提供材料支持。