熱蒸發鍍膜機-- 新聞資訊
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“熱蒸發鍍膜機-- 新聞資訊”參數說明
種類: | 感應加熱設備 |
“熱蒸發鍍膜機-- 新聞資訊”詳細介紹
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熱蒸發鍍膜機-維意真空
- 設備用途:
這是一臺高真空單室有機/金屬熱蒸發鍍膜設備,主要用於有機半導體材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗。
該設備具有有機材料熱蒸發—沉積和金屬材料熱蒸發—沉積成膜功能。它是在高真空條件下,通過加熱材料的方法,在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜,在襯底上沉積各種金屬或合金電極並形成器件。
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熱蒸發鍍膜機-維意真空設備主要技術特點:
1、蒸發源組件石英復合組件,爲電流控制方式,配有電壓表與
電流表,3套蒸發源可實現2對共蒸, 2個金屬蒸發源(電
極水冷),配有2套電控系統,額定電壓5V,額定電流300A。
2、 樣品尺寸100*100mm。
3、真空獲得爲複合分子泵+機械泵,配有預抽真空系統,可在
分子泵不停止的情況下實現換樣品,設備30分鍾以內優於
2*10-3pa,極限壓力8*10-4pa。
4、密封刀口無氧銅金屬密封,其餘用氟膠圈,真空管路用不鏽
鋼金屬波紋管路,採用 真空閥門。
5、每個蒸發源配擋板,基片配擋板,保證鍍膜的可控性。
6、樣品旋轉可在0-30轉/分鐘調速及定位。
熱蒸發鍍膜機-- 新聞資訊技術參數
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熱蒸發鍍膜機-維意真空設備主要組成:
真空鍍膜室:1組有機蒸發源、2組金屬蒸發源、旋轉樣品臺、樣品擋板、真空獲得與測量、電源系統等組成。真空室爲前開門式,便於取放樣品及換蒸發源,主機與機櫃分體式便於維護,每組蒸發源之間有隔板隔離,避免相互污染。
工作條件及主要技術參數:
1、供電:~380V三相五線供電系統(整機容量6KW),環境溫
度10℃~40℃,冷卻水迴圈量0.3M3/H,水溫度15℃~
30℃,氣源壓力6公斤,6毫米塑料管。
2、極限真空:8×10-4Pa(新設備);工作背景真空:2×10-3Pa;
恢復工作背景真空時間30分鐘左右。
五、熱蒸發鍍膜設備配置參數:
(一)、真空室及組件1套。
1)、 450*450*500主真空室(包括:不鏽鋼U型室及門法蘭1套、XF100觀察窗及接管1套、可裝電極及接管的底法蘭1套、CF150法蘭座及接管1套、CF63法蘭座及接管1套、CF35法蘭座及接管2套、旋轉及擋板法蘭座1套、KF16介面1件)。
2)、 減速電機控制可旋轉、定位及調速樣品臺1套。
3)、 外控樣品臺旋轉檔板1套。
4)、 金屬及有機物蒸發源3套。(電極水冷)
5)、 外控蒸發源擋板3套。(電動磁力轉軸)
6)、 帶腳輪、支腳、圍板機架1套。
(二)、真空獲得1套。
1)、 真空室與插板閥連接管道1套(包括KF40預抽閥連接法蘭)。
2)、 KF40手動高真空角閥2只。
3)、 CF150插板閥2只。
4)、 600升複合分子泵1套。
5)、 KF25手動高真空角閥1只。
6)、 KF40*1米前級不鏽鋼波紋管2根。
7)、 KF40四通通1只。
8)、 KF25*1.3米預抽不鏽鋼波紋管1根。
9)、 KF40壓差閥1只。
10)、 合資6升機械泵1臺。
11)、 KF16手動充氣閥2只。
12)、 KF40卡箍9只。
13)、 KF25卡箍3只。
14)、 KF16卡箍3只。
(三)、電器控制1套。
1)、 1.6米機櫃1套。
2)、 真空測量1套。(複合真空計)
3)、 蒸發加熱控制電源3套(含變壓器)。
4)、 旋轉、閥門、照明及蒸發源擋板控制電源1套。
5)、 總控電源1套。
(四)、其餘配件:
1)、 樣品架2套
2)、 過渡真空室1套
3)、 磁力傳送杆1套
4)、 膜厚儀1套。(注:水冷探頭)
5)、 冷卻水迴圈機1套
(五)、密封件及緊固件等。
(六)、設計調試及運輸。
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