實現220~2700nm光譜範圍，±5％準確率的M2Beam光束質量分析儀

 

以色列DUMA公司提供的M2光束質量分析儀由七刀口式Beam Analyzer和移動平臺組成，通過採集多個測量面實現對M²因子的測量，整體準確度保持在±5％範圍內，滿足用戶對光束質量參數的需求，主要包括M2因子，發散角以及束腰參數等資料的檢測。

由於Beam Analyzer應用刀口式掃描的原理，需要通過刀口截取激光面，因此無法實現對脈衝 射的檢測。爲了滿足用戶對測量 射種類的需求，以色列DUMA公司爲用戶提供了特殊型號選擇，M2Beam-U3-VIS-NIR。該型號採取CMOS感測器搭配移動平臺，可以實現對220-1600nm波段脈衝 射的測量，解決了用戶對脈衝 射檢測的需求。刀口式掃描分析原理的測量精度與光束尺寸無關，因此對於微米級的 射束，刀口掃描式分析相比於狹縫或針孔式原理的測量精度略高，M2Beam 射光束分析儀可以實現實時監控 射光束質量，配置USB3.0介面，通過連接移動端，實現資料快速傳輸以及便捷使用。

海納光學提供M2Beam光束質量分析儀的普通版本以及高功率版本，通過配置風冷束流採樣器，可以實現高達4 KW功率的檢測，從而保護探測頭不受功率損傷。

 

光束質量分析儀M2Beam產品特點：

-可檢測連續 射以及脈衝 射

-獨特的斷層圖像重建技術

- 25mm光束尺寸測量

-USB3.0介面快速數據傳輸

- 射質量監控

-可配置採樣器，實現高功率 射檢測

-即插即用，使用便捷

 

光束分析儀M2Beam產品規格參數：

 

-輸入光束

射質量分析儀	M2Beam	M2Beam U3
技術工藝	刀口式掃描原理，應用Si探測器，InGaAs探測器和增強型InGaAs探測器	USB 3.0介面 CMOS 2.4MP 內置過濾論
光譜響應（nm）	SI感測器：350-1100 InGaAs感測器：800-1800 Enhanced InGaAs 感測器：800-2700	VIS-NIR：350-1600 UV-NIR：220-1350
射功率範圍	Si：100 μW-1 W（帶衰減片） InGaAs&UV：100 μW-5 mW HP：4 kW以下	10μW-100mW，內置濾光輪 HP：4 kW
刀口數	7	—
光束尺寸	帶透鏡高達25mm直徑（Si&UV版本）
束腰到透鏡距離	2.0~2.5米 2米

 

-掃描裝配附件

材質	鋁
透鏡焦距	300mm（在632.6nm時）
透鏡直徑	25mm
掃描次數	140
步進尺寸	100μm
掃描長度	280mm

 

-整機

重量	2.5kg
尺寸	100×173×415 mm
托架	M6或1/4“固定
機械調整	水準角：±1.5°，垂直角：±1.5°
電纜長度	2.5m

 

光束分析儀訂購資訊：

M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)

M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)

M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)

M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based

M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.

SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams