皮秒半導體 射器-美國CrystaLaser
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“皮秒半導體 射器-美國CrystaLaser”參數說明
是否有現貨: | 否 | 認證: | 1 |
工作介質: | 半導體 射器 | 激勵方式: | 其他 |
運轉方式: | 其他 | 波段範圍: | 375nm-1650nm |
配件類型: | 看產品詳情 | 用途: | 看產品詳情 |
型號: | 看產品詳情 | 規格: | 1 |
商標: | 1 | 包裝: | 1 |
專利分類: | 1 | 專利號: | 1 |
“皮秒半導體 射器-美國CrystaLaser”詳細介紹
375nm-1650nm,脈寬<80ps 皮秒半導體 射器
美國CrystaLaser公司可以設計和製造皮秒半導體 射器,公司成立於上世紀九十年代,在超緊湊型半導體泵浦晶體(DPSS) 射系統和配件的製造方面有着很高的水準。同時也生產各種相應的光學配件,包括光隔離器、激光合束器等產品。
CrystaLaser緊湊型皮秒半導體 射器Pico-LDs能產生<80 ps的短脈衝 射,峯值功率高達3W。CrystaLaser 射器的波長範圍爲375 nm至1650 nm,有大量的標準型號可供客戶選擇。皮秒半導體 射系統包括皮秒 射頭和皮秒激光碟機動器,重複頻率範圍從單脈衝到100 MHz。 射被準直爲衍射受限的TEMoo模式輸出,還提供光纖耦合選項。
皮秒半導體 射器主要應用:
-熒光壽命測量
-光電探測器和光電時間響應特性
-光時域反射計(OTDR)
- 射播種
-時間分辨熒光
-熒光壽命成像(FLIM)
-磷光壽命成像(PLIM)
-熒光相關光譜(FCS)
-光學層析成像
-熒光壽命相關光譜(FLCS)
-受激發射損耗顯微鏡(STED)
-雙焦點熒光相關光譜(2fFCS)
-脈衝交錯激勵(PIE)
-熒光各向異性(偏振)
-單線態氧
- 射切割/燒蝕
-時間分辨光致發光成像
皮秒半導體 射器型號及規格:
型號
波長(±5nm)
脈寬(ps)
峯值功率(mW)
25MHz平均功率(mW)
50MHz平均功率(mW)
發散角(mrad)
375
<80
300
0.25
0.50
1.0
405
<80
1200
1.00
2.00
1.0
445
<80
400
0.40
0.80
1.0
462
<80
1000
0.85
1.60
3.0
473
<80
400
0.35
0.70
1.0
488
<80
500
0.45
0.80
1.1
515
<80
400
0.35
0.70
1.1
532
<80
150
0.15
0.30
1.1
561
<80
150
0.15
0.30
1.1
593
<80
100
0.10
0.20
1.1
633
<80
300
0.25
0.50
1.2
660
<80
400
0.35
0.70
1.2
685
<80
300
0.25
0.50
1.2
725
<80
300
0.25
0.50
1.2
785
<80
800
0.70
1.40
1.2
808
<80
900
0.75
1.50
1.2
830
<80
900
0.75
1.50
1.3
860
<80
900
0.75
1.50
1.3
910
<80
300
0.25
0.50
1.3
947
<80
400
0.30
0.60
1.3
980
<80
400
0.30
0.60
1.4
1030
<80
500
0.45
0.90
1.4
1064
<80
500
0.45
0.90
1.4
1080
<80
500
0.45
0.90
1.5
1320
<80
900
0.75
1.50
1.5
1550
<80
900
0.75
1.50
1.5
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