EOT銦鎵 光電探測器，體積小、帶寬>10GHz，內部電壓偏置，直流至22GHz、可選外牆插入式電源、光纖耦合或自由空間選項

  EOT近紅外光電探測器的主要指標如下：

1）光電流是存在入射光照射下光電探測器所產生的光生電流，暗電流則爲無光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響着光 的靈敏度大小，是探測器的主要指標之一。暗電流包括以下幾種：盡區中邊界的少子擴散電流、流子的產生-複合電流、表面泄漏電流。EOT近紅外光電探測器的暗電流<0.1nA。

2）探測器的暗電流與噪聲是分不開的，通常光電探測器的噪聲主要分爲暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲：暗電流噪聲、散粒噪聲、熱噪聲。EOT近紅外光電探測器的噪聲<0.01pW/Hz。

  短波近紅外銦鎵 光電探測器包含PIN光電二極管，利用光伏效應將光功率轉換爲電流。EOT銦鎵 光電探測器又叫做EOT銦鎵 探測器、EOT近紅外光電探測器、短波紅外銦鎵 光電探測器、短波近紅外銦鎵 光電探測器、銦鎵 PIN光電二極管探測器、EOT光電探測器、銦鎵 光電二極管探測器等等。

典型包含可見光、近紅外的EOT銦鎵 光電探測器的響應度如下：

ET-3500、ET-4000適合短波可見光區域， 3500F、ET-3600、ET-4000F適用於近紅外I區的應用，ET-5000、ET-5000F適用於近紅外II區。型號確定的含義：

2代表Silicon，3代表 InGaAs，4代表GaAs，5代表Extended InGaAs，ET是廠家EOT的縮寫。

 

短波近紅外銦鎵 光電探測器，三元系材料InxGa1-xAs是由GaAs和InAs形成的混合固溶體的直接帶隙半導體，其能帶成分因組分的比例不同具有差異，應用廣泛。

EOT近紅外光電探測器端接到示波器的50Ω電阻時，可以測量 射的脈衝寬度。當銦鎵 PIN光電二極管探測器端接到頻譜分析儀的50Ω電阻時，可以測量 射的頻率響應。

EOT近紅外光電探測器中，>10GHz光電探測器自帶由長壽命鋰電池組成的內部偏置電源。將同軸電纜插入光電檢測器的BNC輸出連接器，可以在示波器或頻譜分析儀處端接50Ω就可以了。

短波近紅外銦鎵 光電探測器的上升/下降時間300ps（典型），影響度0.47A/W@830nm，電源要求直流，帶寬>2GHz，輸出連接器BNC。特點是佔地面積小、內部電壓偏置、直流至22GHz、可選外牆插入式電源、光纖耦合或自由空間選項。

探測原理是什麼呢？

探測器在完成光電轉化過程中，不僅給出表徵被測對象的電壓、電流信號，同時也伴隨着無用噪聲的電壓、電流信號，這是一種起伏信號，其大小決定了探測器的探測能力。

 

EOT近紅外光電探測器的主要指標如下：

1）光電流是存在入射光照射下光電探測器所產生的光生電流，暗電流則爲無光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響着光 的靈敏度大小，是探測器的主要指標之一。暗電流包括以下幾種：盡區中邊界的少子擴散電流、流子的產生-複合電流、表面泄漏電流。EOT近紅外光電探測器的暗電流<0.1nA。

2）探測器的暗電流與噪聲是分不開的，通常光電探測器的噪聲主要分爲暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲：暗電流噪聲、散粒噪聲、熱噪聲。EOT近紅外光電探測器的噪聲<0.01pW/Hz。

EOT銦鎵 光電探測器規格：