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西安智盈電氣科技有限公司

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經營模式: 生產製造

所在地區: 陝西省  西安市

認證資訊: 身份認證

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西安智盈電氣科技有限公司是半導體測試設備,IGBT,可控矽的優良生產製造廠家,竭誠爲您提供全新的晶閘管、IGCT動態參數測試系統,10uS-10mS浪涌電流測試系統,半導體 分立器件測試系統等系列產品。

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DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備

圖片審覈中 DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備
DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備

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價格 面議
起批量 ≥1件
供貨總量 5件
產地 陝西省/西安市
發貨期 自買家付款之日起60天內發貨
產品規格
半導體測試 面議 5件可售
總 價: 價格面議 0

張芳 女士
  • 153****2496

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  • 張芳  女士 
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  • 地址: 陝西省 西安市   長安區 陝西省
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產品詳情

“DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備”參數說明

是否有現貨: 元器件種類: 半導體器件測試儀
型號: Dbc-112 規格: 800*800*80
商標: 西安智盈電氣 包裝: 木箱
產量: 10

“DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備”詳細介紹

DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備基本介紹
針對晶閘管的靜態參數而研發的智慧測試設備,電壓8500V、10000A(可擴展),自動化程度高,按照操作人員設定的程式自動工作。計算機記錄測試結果,測試結果可轉化爲文本或EXCEL格式存儲,工作時序、開關的動作狀態、資料採集等均由計算機和PLC共同完成。
DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備性能特點
測試方法靈活,可測試單個單元和多單元的模組,系統 穩定,整體採用輪式機櫃集成測試,具有簡潔的人機交互界面(計算機)和良好的保護措施,操作簡單,移動方便等特點。
DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備技術參數

系統單元及參數條件

 

 

門極觸發電壓/門極觸發電流測試單元IGT/VGT

陽極電壓:12V

陽極串聯電阻:

門極觸發電壓:0.3~5.00V ±3%±10mV

門極觸發電流:2~450mA ±3%±1 mA

 

維持電流測試單元IH

陽極電壓:12V

預導通電流:10A,正弦衰減波

維持電流: 2~450mA  ±5%±1 mA

測試頻率:單次

通態壓降測試單元VTM

平板器件通態電流:0.10~10.00kA, 解析度:0.01kA,精度±1 0A±5%

模組器件通態電流:0.10~2.00kA, 解析度:0.01kA,精度±1 0A±5%

電流上升沿時間:5ms

通態壓降測試範圍: 0.20~10.00V, 解析度:0.01V,精度±0.1 V±5%

測試頻率:單次

斷態電壓/斷態漏電流VD/ID

反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

阻斷電壓:0.20~8.50kV, 解析度:0.01kV, 精度±0.1 kV±3%

模組單元阻斷電壓:0.20~4.00kV

正反向自動測試

/反向漏電流:0.2~100 mA, 解析度:0.1 mA, 精度±5%±1 mA

輸出保護電壓和電流可計算機設定範圍值;在測試時電壓或漏電流超過所  設定的範圍則自動保護,測試頻率: 50HZ

 

斷態電壓臨界上升率測試單元dv/dt

電壓:1200V,1600V,2000V三檔, 1V,±5%

電壓過沖範圍:<50V±10%

DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs1200V/μs±10%

阻斷參數測試單元

測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極體的VRRM、IRRM等參數

擎住電流IL

100-1800mA

平板夾具壓力範圍

6-60KN,氣動加壓方式

門極電阻

5-50R

計算機控制系統

設備的所有工作程式,工作時序,開關的動作狀態,資料的採集等均由計算機完成。工業控制機,具有抗電磁干擾能力強,排風量大等特點。

 

DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備使用說明
 
DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備採購須知
 

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