DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備
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產品詳情
“DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備”參數說明
是否有現貨: | 是 | 元器件種類: | 半導體器件測試儀 |
型號: | Dbc-112 | 規格: | 800*800*80 |
商標: | 西安智盈電氣 | 包裝: | 木箱 |
產量: | 10 |
“DBC-112 可控矽靜態綜合測試設備”詳細介紹
系統單元及參數條件
門極觸發電壓/門極觸發電流測試單元IGT/VGT |
陽極電壓:12V 陽極串聯電阻:6Ω 門極觸發電壓:0.3~5.00V ±3%±10mV 門極觸發電流:2~450mA ±3%±1 mA |
維持電流測試單元IH |
陽極電壓:12V 預導通電流:>10A,正弦衰減波 維持電流: 2~450mA ±5%±1 mA 測試頻率:單次 |
通態壓降測試單元VTM |
平板器件通態電流:0.10~10.00kA, 解析度:0.01kA,精度±1 0A±5% 模組器件通態電流:0.10~2.00kA, 解析度:0.01kA,精度±1 0A±5% 電流上升沿時間:≥5ms 通態壓降測試範圍: 0.20~10.00V, 解析度:0.01V,精度±0.1 V±5% 測試頻率:單次 |
斷態電壓/斷態漏電流VD/ID 反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元 |
阻斷電壓:0.20~8.50kV, 解析度:0.01kV, 精度±0.1 kV±3% 模組單元阻斷電壓:0.20~4.00kV 正反向自動測試 正/反向漏電流:0.2~100 mA, 解析度:0.1 mA, 精度±5%±1 mA 輸出保護電壓和電流可計算機設定範圍值;在測試時電壓或漏電流超過所 設定的範圍則自動保護,測試頻率: 50HZ |
斷態電壓臨界上升率測試單元dv/dt |
電壓:1200V,1600V,2000V三檔, 1V,±5% 電壓過沖範圍:<50V±10% DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs,1200V/μs±10% |
阻斷參數測試單元 |
測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極體的VRRM、IRRM等參數。 |
擎住電流IL |
100-1800mA |
平板夾具壓力範圍 |
6-60KN,氣動加壓方式 |
門極電阻 |
5-50R |
計算機控制系統 |
設備的所有工作程式,工作時序,開關的動作狀態,資料的採集等均由計算機完成。工業控制機,具有抗電磁干擾能力強,排風量大等特點。 |
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