產品描述

西安智盈電氣科技有限公司

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經營模式: 生產製造

所在地區: 陝西省  西安市

認證資訊: 身份認證

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西安智盈電氣科技有限公司是半導體測試設備,IGBT,可控矽的優良生產製造廠家,竭誠爲您提供全新的功率器件高反壓反向恢複測試設備,高集成化電力半導體全動態測試臺,二極體測試儀 元器件等系列產品。

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二極體測試儀 元器件

圖片審覈中 二極體測試儀 元器件
二極體測試儀 元器件

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價格 面議
起批量 1
供貨總量 20臺
產地 陝西省/西安市
發貨期 自買家付款之日起60天內發貨
產品規格
半導體測試 面議 10臺可售
總 價: 價格面議 0

張芳 女士
  • 153****2496

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  • 張芳  女士 
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  • 地址: 陝西省 西安市   長安區 陝西省
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產品詳情

“二極體測試儀 元器件”參數說明

是否有現貨: 元器件種類: 半導體器件測試儀
尺寸: 15 產量: 10

“二極體測試儀 元器件”詳細介紹

基本介紹
一、產品簡介
該測試系統是晶閘管靜態參數檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。
該套測試設備主要有以下幾個單元組成:
1)門極觸發參數測試單元
2)維持電流測試單元
3)阻斷參數測試單元
4)通態壓降參數測試單元
5)電壓上升率參數測試單元
6)擎住電流
7)門極電阻
8)計算機控制系統
9)合格證標籤列印
10)夾具單元;包含平板夾具和模組夾具
性能特點
功能概述
3-1測試功能範圍
該套測試設備主要可測試以下參數:
1.門極參數測試:VGT、IGT
2.維持電流測試:IH
3.阻斷參數測試:本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極體的VRRM、IRRM等參數。
4.壓降單元
本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數。
5、電壓上升率參數測試:dv/dt
6、擎住電流IL
7、門極電阻:適合門極觸發電壓在0.95V以上器件測試
3-2、測試方法和測試準則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關於晶閘管測試的具體規定。
技術參數
技術條件
主要技術指標:
2.1 門極觸發電壓/門極觸發電流測試單元IGT/VGT
1.陽極電壓:12V;
2.陽極串聯電阻:6Ω;
3.門極觸發電壓:0.3~5.00V±3%±10mV;
4.門極觸發電流:2~450mA±3%±1 mA;
2.2 維持電流測試單元IH
1. 陽極電壓:12V;
2.預導通電流: >10A,正弦衰減波;
3.維持電流: 2~450mA ±5%±1 mA;
4.測試頻率:單次;
2.3 通態壓降測試單元VTM
1.平板器件通態電流:0.10~5.00kA,解析度:0.01kA,精度±1 0A±5%;
2.模組器件通態電流:0.10~2.00kA,解析度:0.01kA,精度±1 0A±5%;
3. 電流上升沿時間:≥5ms;
4. 通態壓降測試範圍: 0.20~10.00V, 解析度:0.01V,精度±0.1 V±5%;
5. 測試頻率:單次;
2.4 斷態電壓/斷態漏電流VD/ID;反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元
1.阻斷電壓:0.20~6.00kV,解析度:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;
模組單元阻斷電壓:0.20~4.00kV
2. 正反向自動測試:
3.正/反向漏電流:0.2~100 mA,解析度:0.1 mA;
精度:±5%±1 mA;
4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定範圍值;在測試時電壓或漏電流超過所 設定的範圍則自動保護。
5. 測試頻率: 50HZ
2.5 斷態電壓臨界上升率測試單元dv/dt
1.電壓:1200V,1600V,2000V三檔,解析度:1V,精度±5%;
2. 電壓過沖範圍:<50V±10%
電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;
2.6 擎住電流IL:100-1800mA
2.7 平板夾具壓力範圍:6-60KN,氣動加壓方式

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