ITO 靶材

Indium Tin Oxide Target：

ITO靶材以磁控濺射等方式用於導電玻璃的製備. ITO鍍膜具有導電性、對可見光的透明性以及對紅外線的反射性三個特性，其廣泛用於顯示屏、玻璃幕牆、觸摸屏、太陽能電池、雷達 、冰櫃、防霧玻璃等產品，尤以顯示屏爲大宗。

ITO 旋轉靶材和ITO 平面靶材我們均可提供。

我們的ITO旋轉靶材已通過G8.5的認證，以無壓燒結法製作的ITO靶材具有高密度、高焊合率以及大尺寸的特性。

純度： ≥99.995%

雜質元素含量: Si ≤5； Fe ≤3； Ca ≤3； Na ≤3； Cu ≤2； Cd ≤1。

產品優勢：

三十道生產工藝；

獨立檢測體系；

密度偏差<0.10%；

相對密度：≥99.8%；

理論密度高達：7.156。

 

 

ITO靶材技術指標

specifications of ITO target

性能

標準值

化學成分（wt%）

In2O3:SnO2=90:10

單塊平面靶材 規格（mm）

1200×400×(6.0～10)

單塊旋轉靶材 規格（mm）

Ф135×Ф153×450

相對密度

≥99.8%

理論密度

7.156g/cm3

體積電阻率

1.35×10-4Ω·cm

抗彎強度

≥150Mpan

純度

≥99.995%

失氧率

≤0.5%

 

ITO靶材穩定性測試

THK

退火前ITO膜厚465±10Å，退火後400±10Å

THK Unif 8%以內，膜厚相對穩定

Rs

退火前Rs均值在200±20Ω/sq，滿足實驗線Spec（Spec：AVE>120/sq）

退火後Rs均值在60±10Ω/sq，單點最大值<100Ω/sq，滿足實驗線Spec（Spec：Ave<70Ω/sq，Max<120Ω/sq）

CD loss

刻蝕後CD loss在-0.3µm~0.3µm之間波動，刻蝕穩定性良好

退火後Tr

退火後在各波段Tr：450nm>87.5%，550nm>93%，610nm>94.8%（Spec：450nm>85%，550nm>87%，660nm>87%）

Particle增量

成膜Particle增量隨着Mask壽命的增加，有上升趨勢， 換Mask後有明顯改善。各次測量值均<150EA

靶材表面狀況

靶材表面無開裂、結瘤現象，靶材表面整體穩定性良好