cmos感測器保護膜  IC/CDD晶片高溫保護膜

詳細說明：詳細說明 （規格可按要求訂製）

CMOS耐高溫保護膜貼附感光晶片sensor表面，經過reflow溫度爲280度，10min後將耐高溫保護膜撕起，在40倍率的放大鏡下觀察sensor表面無殘膠和白色顆粒狀得污染。

應用行業:
一、CMOS、CCD晶片保護：PI耐熱膜矽膠，適用於CMOS封裝廠。
1、用於保護CMOS晶片,過SMT 280度不留殘膠
2、低粘度,280度高溫能輕易撕下保護膜，不留殘膠
3、可貼附於IR Glass表面近高溫錫爐，於製程中保護鏡頭表面落塵與刮傷
東莞市昱恆新材料裝以及CMOS/CCD相機模組封裝等。 

東莞市昱恆新材料現有保護膜在化學和熱敏感型應用中容易腐蝕與其接觸的表面塗層，從而造成嚴重的性能損失。深圳旭翌通過將API薄膜創新應用於保護膜,開發出具有耐化學性和耐熱性，能在惡劣環境中保持優異品質和穩定性能的CMOS/CCD保護膜。API薄膜製成的保護膜不僅可以提供的保護能力，同樣能協助客戶增強生產能力，提 率，尤其是在表面黏着製程中。 

以上是ccd晶片耐高溫保護膜的詳細資訊，由東莞市昱恆新材料自行提供，如果您對ccd晶片耐高溫保護膜的資訊有什麼疑問，請與該公司進行進一步聯繫，獲取ccd晶片耐高溫保護膜的更多資訊