USB2.0介面靜電保護方案
ESD Protection Products

隨着現代社會的飛速發展，我們對電子設備的依靠與日俱增.現代電腦越來越多的採用低功率邏輯晶片，由於MOS的電介質擊穿和雙極反向結電流的限制，使這些邏輯晶片對ESD非常敏感。大多數USB積體電路都是以CMOS工藝爲基礎來設計和製造的，這導致它們對ESD造成的損害也很敏感，另外，USB埠是熱插拔系統，極易受到由用戶或空氣放電造成的ESD影響。用戶在插拔任何USB外設時都可能產生ESD。在間隔導電面的幾英寸的位置可產生空氣放電。靜電可以損害USB介面，造成USB積體電路故障，糟糕的是會在電子系統中產生資料位重影。這些損害和故障造成電子設備的"硬性損傷"或元器件損壞。固然對於硬性損傷我們可以很輕易地 換失效的元器件並使系統重新納進正軌，但是，假如發生了“軟性損傷”(CMOS元件性能降級)，此時系統會不斷產生不規則的資料位，要花費數小時來進行故障排查，並且依靠重複測試也很難發現系統異常，因此針對USB元件的ESD防護已經迫在眉睫。
ESD元件不僅要符合以上所述的ESD業界標準，還牽涉使用能在高速數據傳輸情況下工作的半導體器件。因此保護串列埠的傳統方法在USB應用中將會過期或者無效。
瞭解USB元件的ESD防護本質，有助於明確針對USB應用的半導體器件所必須的特性：
1. 低電容(<5pf)，以減少高速速率下(480Mbps, USB 2.0)的信號衰減。
2. 快速工作響應時間(納秒)，可以在ESD脈衝的快速上升時間內保護USB元件。
3. 低漏電電流，以減少正常工作下的功率能耗。
4. 穩固耐用，在反覆性的ESD情況下仍然完好無損。
5. 集成度高，封裝面積小。

 SR05 (PSR05,SR05,C?D?1?4?3?A?-?S?R?0?5?)
1．低的箝位電壓:VRWM=5V
2．極低的結電容:Cj=5pF
3．反向漏電流小:IRWM =5μA
4．極快的響應速度：PS
5．峯值脈衝功率350W(tp=8/20μs)
6．可重複使用,尺寸小SOT-143

 

 

ESD 保護晶片 PRTR5V0U2X  PRTR5V0U2AX

PRTR5V0U2X描述

PRTR5V0U2X是一個SOT143封裝的 容值軌對軌靜電放電保護二極體，主要保護兩條高速資料或者高頻率信號線免受靜電放電和其他瞬變的影響。它是由兩對 容值的二極體和一個額外的TVS二極體組成，確保在沒有電壓供應的情況下也可實現高速信號線的保護

 

PRTR5V0U2X描述

.ESD保護兩個高速資料行或高頻信號線路

. 輸入對地電容:C(I / O-GND)= 1 pF

.ESD保護8千伏

.IEC 61000-4-2,四級(ESD)

.鉗位電壓非常低,因爲一個集成的額外的ESD保護二極體

.極低的泄漏電流

應用：

USB2.0介面；

數碼攝像機；

高清晰度多媒體（HDMI)介面;

手機和無繩 ；

掌上電腦；

數碼相機；

無線網路和區域網系統；