DENTON離子束濺射系統-丹頓IBS

系統技術規格：

當配置爲離子束沉積時，多可以安裝四個直徑5英寸靶材

提供單旋轉傾斜式工裝夾具，工件尺寸6英寸或8英寸，帶水冷；

爲獲得好的均勻性，提供行星式傾斜式工裝夾具，三個6英寸行星工件盤，帶水冷；

可以沉積無漂移光學薄膜；

可以在低於10-4 torr的真空度下沉積，成膜純度；

配置雙離子源時，可以實現基片預清洗，膜層附着力；

全自動成膜工藝控制；

高真空低溫泵或渦輪分子泵可選；

對於離子束沉積，成膜厚度控制可以採用時間控制或石英晶體膜厚控制儀控制；

離子束沉澱適合材料：

     介質材料：SiO2,Ta2O5,Al2O3,TiO2,Si3N4等

     金屬材料：W, Au, Cu, Pt, NiFe, CrCo,Si等

離子束濺射的優點：

成膜粒子動能大，因此，膜層緻密性好，針眼少，對環境穩定

成膜真空度高（10-4TORR），因此，膜層純度高

可以提供工件預處理以膜層附着力

獨立控制離子能量和離子束流，可以提供大的工藝靈活性，控製成膜組分，應力，圍觀結構等

穩定的沉澱速率，突出的膜層厚度控制和穩定的成膜均勻性

自動化控制-地工藝控制

傾斜式單旋轉工件盤：

直徑六英寸或八英寸的工件盤可選

水冷型

突出的沉積和刻蝕均勻性

傾斜式

可以通過調整傾斜角度得到工藝要求的臺階覆蓋率

可以通過調節調節傾斜角度進一步均勻性

傾斜行星式工件盤：

三個直徑六英寸的水冷型行星盤

採用行星式工件盤以得到好的均勻性

突出的沉澱和刻蝕均勻性

傾斜式

離子束濺射沉積源：

多種型號射頻或直流離子源可選

射頻（3cm,6cm）

適合濺射工藝

污染小（無燈絲）

非常適合濺射介質材料，可以用於濺射金屬

維護間隔時間超過200小時

直流（3cm,5cm,8cm）

適合非反應濺射工藝

多種配置可供選擇

等離子體橋狀中和器：增強反應濺射工藝能力和小維護時間間隔在25-45小時

空心陰極中和器：減小污染，維護間隔時間長達150小時

非常適合濺射金屬，可以用於濺射介質材料

離子源柵極選項：

材質：

石墨：適合無反應工藝

鉬：適合大多數反應工藝

柵網結構：聚焦型離子源

發散型輔助或者預清洗源

採用三柵網結構可以使濺射工藝加穩定

四柵網結構

靶材夾具：

當配置用於濺射時，配置水冷型四靶材夾具。可以裝多四個直徑5英寸的靶材。

泵選項：

機械泵：油泵/幹泵

高真空泵：CTI低溫冷凝泵/渦輪分子泵

終點控制：

濺射工藝：

時間控制：通常用於簡單沉積工藝，少於20層；

石英晶體膜厚控制儀：MAXTEK260/360C，石英晶體失效情況下，採用時間控制