4寸碳化矽基氮化鎵外延片生產廠家RF HEMT
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“4寸碳化矽基氮化鎵外延片生產廠家RF HEMT”參數說明
是否有現貨: | 否 | 加工定製: | 是 |
種類: | 化合物半導體 | 型號: | 4inch |
包裝: | 晶片盒 |
“4寸碳化矽基氮化鎵外延片生產廠家RF HEMT”詳細介紹
4寸碳化矽基氮化鎵外延片生產廠家RF HEMT
蘇州恆邁瑞作爲GaN氮化鎵外延片生產廠家,供應4英寸6英寸SiC碳化矽基GaN氮化鎵外延片,使用高品質產品級半絕緣碳化矽襯底,GaN-on-SiC結合了碳化矽優異的導熱性和GaN高功率密度、低損耗能力,襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運行,結溫將隨RF功率緩慢升高,RF性能好,目前多數GaN射頻器件的襯底都是碳化矽。氮化鎵材料具有寬禁帶、強原子鍵、高熱導率、化學穩定性好和強抗輻照等性質,在光電子、功率器件和高頻微波器件應用方面有着廣闊的前景。GaN器件被廣泛用於無線設備中,頻率高達100 GHz的功率放大器,主要用于軍用雷達、衛星發射器和通用射頻放大。由於GaN器件用於高壓(高達1,000 V)、高溫和快速開關,它們也被納入各種開關電源應用,如DC-DC轉換器、逆變器和電池充電器。
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