4寸碳化矽基氮化鎵外延片生產廠家RF HEMT

蘇州恆邁瑞作爲GaN氮化鎵外延片生產廠家，供應4英寸6英寸SiC碳化矽基GaN氮化鎵外延片，使用高品質產品級半絕緣碳化矽襯底，GaN-on-SiC結合了碳化矽優異的導熱性和GaN高功率密度、低損耗能力，襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運行，結溫將隨RF功率緩慢升高，RF性能好，目前多數GaN射頻器件的襯底都是碳化矽。氮化鎵材料具有寬禁帶、強原子鍵、高熱導率、化學穩定性好和強抗輻照等性質，在光電子、功率器件和高頻微波器件應用方面有着廣闊的前景。GaN器件被廣泛用於無線設備中，頻率高達100 GHz的功率放大器，主要用于軍用雷達、衛星發射器和通用射頻放大。由於GaN器件用於高壓(高達1,000 V)、高溫和快速開關，它們也被納入各種開關電源應用，如DC-DC轉換器、逆變器和電池充電器。